NVMFS6H836NT3G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

,
• , .
  • Описание: Компонент с маркировкой NVMFS6H836NT3G от производителя ON Semiconductor.
  • Тип: MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор).
  • Номинальное напряжение: 80В.
  • Форм-фактор: SO8FL (8-пиновый корпус).
  • Основные параметры:
    • Тип MOSFET: NMOS (направленный на источник).
    • Максимальная номинальная токовая способность: 6А.
    • Коэффициент сопротивления Rds(on): 0.25Ω при 5В.
    • Температурный коэффициент Rds(on): +450мкΩ/°C.
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в состоянии нахождения в conductive режиме.
    • Низкий коэффициент сопротивления Rds(on).
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям.
    • Малый размер и легкость для интеграции в разнообразные устройства.
  • Минусы:
    • Требует дополнительного управления для правильной работы.
    • При работе в высокочастотном режиме может возникать искажение сигнала.
    • Тепловые проблемы могут возникнуть при длительной работе под нагрузкой.
  • Общее назначение: Используется для регулирования напряжения и тока в различных электронных устройствах.
  • Применение:
    • Системы питания.
    • Драйверы для светодиодов (T8).
    • Инверторы.
    • Регуляторы напряжения.
    • Автомобильные системы.