Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVMJS1D4N06CLTWG
NVMJS1D4N06CLTWG

NVMJS1D4N06CLTWG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMJS1D4N06CLTWG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAKВсе характеристики

Минимальная цена NVMJS1D4N06CLTWG при покупке от 1 шт 714.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMJS1D4N06CLTWG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVMJS1D4N06CLTWG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    39A (Ta), 262A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    103 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7430 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4W (Ta), 180W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-LFPAK
  • Корпус
    SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Base Product Number
    NVMJS1
Техническая документация
 NVMJS1D4N06CLTWG.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2725 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    714 ₽
  • 10
    468 ₽
  • 100
    328 ₽
  • 500
    291 ₽
  • 3000
    238 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVMJS1D4N06CLTWG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAKВсе характеристики

Минимальная цена NVMJS1D4N06CLTWG при покупке от 1 шт 714.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMJS1D4N06CLTWG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVMJS1D4N06CLTWG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    39A (Ta), 262A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    103 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7430 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4W (Ta), 180W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-LFPAK
  • Корпус
    SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Base Product Number
    NVMJS1
Техническая документация
 NVMJS1D4N06CLTWG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIR180DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
    413Кешбэк 61 балл
    FQP9N25N-CHANNEL POWER MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    DMN2044UCB4-7MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
    163Кешбэк 24 балла
    IPT65R190CFD7XTMA1MOSFET N-CH 650V 8HSOF
    650Кешбэк 97 баллов
    FDMS4D0N12CMOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
    860Кешбэк 129 баллов
    IPA60R125CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220
    630Кешбэк 94 балла
    SI2303CDS-T1-BE3MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
    142Кешбэк 21 балл
    PJA3406_R1_00001SOT-23, MOSFET
    60Кешбэк 9 баллов
    SQJ412EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
    516Кешбэк 77 баллов
    BSC027N10NS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
    925Кешбэк 138 баллов
    HUF76413D3N-CHANNEL POWER MOSFET
    136Кешбэк 20 баллов
    GT110N06SN60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
    40Кешбэк 6 баллов
    C3M0025065DGEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
    2 311Кешбэк 346 баллов
    RJK03H0DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    213Кешбэк 31 балл
    DMT6007LFGQ-7MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
    237Кешбэк 35 баллов
    2N7000-D74ZMOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    108Кешбэк 16 баллов
    2SK2724-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    374Кешбэк 56 баллов
    NTB011N15MCNTB011N15MC
    781Кешбэк 117 баллов
    NTC040N120SC1SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
    2 256Кешбэк 338 баллов
    NTD360N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    497Кешбэк 74 балла
    PJQ4443P-AU_R2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    241Кешбэк 36 баллов
    DMT3006LFV-13MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
    169Кешбэк 25 баллов
    NX3008NBKVLMOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
    56Кешбэк 8 баллов
    IRFBF20PBF-BE3MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
    534Кешбэк 80 баллов
    IRF9510PBF-BE3MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    114Кешбэк 17 баллов
    3LP01SS-TL-EXMOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP
    18.7Кешбэк 2 балла
    2SK3484-S16-AYSMALL SIGNAL MOSFET
    233Кешбэк 34 балла
    UJ3C065030T3SТранзистор: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
    4 479Кешбэк 671 балл
    EPC2070TRANS GAN DIE 100V .022OHM
    327Кешбэк 49 баллов
    ISC011N06LM5ATMA1TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
    876Кешбэк 131 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП