NVMYS2D4N04CTWG

Основные параметры:

• Маркировка: NVMYS2D4N04CTWG

• Производитель: ON Semiconductor

• Тип: MOSFET N-канальный

• Номинальное напряжение: 40В

• Номинальный ток: 30А (в режиме тока)

• Резонансный ток: 138А (в режиме резонанса)

• Пакет: LFPAK4

Плюсы:

• Высокая проводимость: Низкое значение R_DS(on) обеспечивает минимальные потери при прохождении тока.

• Высокий резонансный ток: Увеличивает эффективность в некоторых схемах с резонансной компенсацией.

• Устойчивость к перегреву: Высокая термическая стабильность позволяет использовать его в различных условиях.

• Компактность: Малый размер пакета позволяет экономить место на печатной плате.

Минусы:

• Высокие потери: Повышенные потери при работе в режиме тока могут повлиять на общую эффективность системы.

• Требуется дополнительное охлаждение: При высоких нагрузках может потребоваться дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.

• Уязвимость к ударным нагрузкам: Может быть более чувствителен к неправильным нагрузкам, чем некоторые другие типы транзисторов.

Общее назначение:

• Переключение высоких токов в электрических цепях.

• Использование в источниках питания и преобразователях энергии.

• Применение в системах управления двигателей.

• Использование в различных приборах и устройствах, требующих точного регулирования тока.

В каких устройствах применяется:

• Источники питания для компьютеров и серверов.

• Автомобильные системы зарядки аккумуляторов.

• Преобразователи энергии для инверторов и адаптеров.

• Драйверы для электродвигателей.

• Различные электронные устройства, требующие точного управления токами.