Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
NVTFS6H888NWFTAG
  • В избранное
  • В сравнение
NVTFS6H888NWFTAG

NVTFS6H888NWFTAG

NVTFS6H888NWFTAG
;
NVTFS6H888NWFTAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS6H888NWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS6H888NWFTAG при покупке от 1 шт 184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS6H888NWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS6H888NWFTAG

Маркировка NVTFS6H888NWFTAG, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Ток при VDS(on): 4.7А (при RDSON=12Ω)
    • Рабочий ток: 12А
    • Мощность: 8Вт
    • Пакет: 8WDFN
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности благодаря компактному 8WDFN пакету
    • Низкий ток сопротивления (RDSON)
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за низкой скорости перехода (trrh и trf)
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электропитанием
    • Компоненты в системах управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Устройства с адаптивным питанием
    • Системы с контролируемым электропитанием
    • Трансформаторы и блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS6H888NWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Ta), 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 15µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    220 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.9W (Ta), 18W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS6

Техническая документация

 NVTFS6H888NWFTAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 847 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    184 ₽
  • 10
    116 ₽
  • 500
    62 ₽
  • 3000
    42 ₽
  • 7500
    40.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS6H888NWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS6H888NWFTAG при покупке от 1 шт 184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS6H888NWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS6H888NWFTAG

Маркировка NVTFS6H888NWFTAG, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Ток при VDS(on): 4.7А (при RDSON=12Ω)
    • Рабочий ток: 12А
    • Мощность: 8Вт
    • Пакет: 8WDFN
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности благодаря компактному 8WDFN пакету
    • Низкий ток сопротивления (RDSON)
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за низкой скорости перехода (trrh и trf)
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электропитанием
    • Компоненты в системах управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Устройства с адаптивным питанием
    • Системы с контролируемым электропитанием
    • Трансформаторы и блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS6H888NWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Ta), 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 15µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    220 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.9W (Ta), 18W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS6

Техническая документация

 NVTFS6H888NWFTAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK16J60W,S1VEX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    1 214Кешбэк 182 балла
    TK155A65Z,S4XMOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
    850Кешбэк 127 баллов
    SSM6K405TU,LFMOSFET N-CH 20V 2A UF6
    85Кешбэк 12 баллов
    TK065N65Z,S1FMOSFET N-CH 650V 38A TO247
    1 668Кешбэк 250 баллов
    TW140N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
    2 606Кешбэк 390 баллов
    TK49N65W,S1FPB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
    2 655Кешбэк 398 баллов
    TK31Z60X,S1FX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    2 291Кешбэк 343 балла
    TK49N65W5,S1FX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    2 547Кешбэк 382 балла
    TK750A60F,S4XMOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
    504Кешбэк 75 баллов
    TK17A65W,S5XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    688Кешбэк 103 балла
    TK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
    620Кешбэк 93 балла
    BSS138-13-FMOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K
    40.5Кешбэк 6 баллов
    BSS138K-13MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
    25.7Кешбэк 3 балла
    DMN62D1LFB-7BMOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
    64Кешбэк 9 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    DMTH6016LFDFWQ-7RMOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
    180Кешбэк 27 баллов
    DMT6012LSS-13MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
    97Кешбэк 14 баллов
    DMN31D5L-13MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
    46Кешбэк 6 баллов
    DMN2053UW-7MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN5L06KQ-7MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
    70Кешбэк 10 баллов
    DMTH6004SK3-13MOSFET N-CH 60V 100A TO252
    234Кешбэк 35 баллов
    DMN67D7L-7MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3028LQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
    107Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    107Кешбэк 16 баллов
    DMN61D9UWQ-13MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
    59Кешбэк 8 баллов
    DMP6350SQ-7MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
    120Кешбэк 18 баллов
    DMN65D9L-7MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMTH6016LPSQ-13MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
    160Кешбэк 24 балла
    DMN62D1LFDQ-7MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3731U-7MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
    40.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП