Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Модули драйверов питания
NXH006P120MNF2PTG
  • В избранное
  • В сравнение
NXH006P120MNF2PTG

NXH006P120MNF2PTG

NXH006P120MNF2PTG
;
NXH006P120MNF2PTG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NXH006P120MNF2PTG
  • Описание:
    SIC MODULES HALF BRIDGEВсе характеристики

Минимальная цена NXH006P120MNF2PTG при покупке от 1 шт 35332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXH006P120MNF2PTG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXH006P120MNF2PTG

Маркировка NXH006P120MNF2PTG, производитель ONSEMI, описание SIC MODULES HALF BRIDGE

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 6 А
    • Номинальное напряжение: 120 В
    • Тип модуля:Half-bridge
    • Технология:SiC (сапфировый кремний)
    • Пакет:NF2PTG
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требует специализированного оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Мощные преобразователи энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Энергосберегающих приборах
    • Машин и оборудования
    • Системах управления промышленными установками
Выбрано: Показать

Характеристики NXH006P120MNF2PTG

  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    Half Bridge Inverter
  • Сила тока
    304 A
  • Напряжение
    1.2 kV
  • Изоляционное напряжение
    3000Vrms
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module

Техническая документация

 NXH006P120MNF2PTG.pdf
pdf. 0 kb
  • 42 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 332 ₽
  • 5
    34 624 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NXH006P120MNF2PTG
  • Описание:
    SIC MODULES HALF BRIDGEВсе характеристики

Минимальная цена NXH006P120MNF2PTG при покупке от 1 шт 35332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXH006P120MNF2PTG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXH006P120MNF2PTG

Маркировка NXH006P120MNF2PTG, производитель ONSEMI, описание SIC MODULES HALF BRIDGE

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 6 А
    • Номинальное напряжение: 120 В
    • Тип модуля:Half-bridge
    • Технология:SiC (сапфировый кремний)
    • Пакет:NF2PTG
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требует специализированного оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Мощные преобразователи энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Энергосберегающих приборах
    • Машин и оборудования
    • Системах управления промышленными установками
Выбрано: Показать

Характеристики NXH006P120MNF2PTG

  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    Half Bridge Inverter
  • Сила тока
    304 A
  • Напряжение
    1.2 kV
  • Изоляционное напряжение
    3000Vrms
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module

Техническая документация

 NXH006P120MNF2PTG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGIPQ4C60T-HZSLLIMM NANO 2ND SERIES IPM, 3-PH
    1 612Кешбэк 241 балл
    STGIB8CH60TS-LSLLIMM
    2 507Кешбэк 376 баллов
    STGIB20M60TS-LSLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE I
    2 759Кешбэк 413 баллов
    STGIB30M60TS-LSLLIMM(TM) - 2ND SERIES IPM, 3-P
    3 218Кешбэк 482 балла
    STGIK50CH65TSLLIMM HIGH POWER IPM, 3-PHASE I
    8 557Кешбэк 1 283 балла
    STIPNS1M50SDT-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 593Кешбэк 238 баллов
    STIPNS2M50-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    2 039Кешбэк 305 баллов
    STGIPNS3HD60-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 797Кешбэк 269 баллов
    STIPQ5M60T-HLPOWER TRANSISTORS
    2 277Кешбэк 341 балл
    STIB1060DM2T-LSLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE I
    4 370Кешбэк 655 баллов
    STIPQ5M60T-HZPOWER TRANSISTORS
    2 034Кешбэк 305 баллов
    STGIPQ3H60T-HZSPWR MODULE 600V 3A 26DIP
    1 584Кешбэк 237 баллов
    STIPQ3M60T-HLPOWER TRANSISTORS
    1 971Кешбэк 295 баллов
    STGIPNS3H60T-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 743Кешбэк 261 балл
    STIPN1M50-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 262Кешбэк 189 баллов
    MSCSM120SKM11CT3AGPM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    33 591Кешбэк 5 038 баллов
    MSCSM120DAM11CT3AGPM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    33 591Кешбэк 5 038 баллов
    IM240S6Y1BAKMA1CIPOS MICRO
    2 222Кешбэк 333 балла
    IM818SCCXKMA1CIPOS MAXI 1200V 8A 24PWRDIP
    3 626Кешбэк 543 балла
    BM63374S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 918Кешбэк 587 баллов
    BM63375S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 342Кешбэк 501 балл
    BM63964S-VCINTELLIGENT POWER MODULE
    2 485Кешбэк 372 балла
    BM63573S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 615Кешбэк 542 балла
    BM63573S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 144Кешбэк 471 балл
    BM63374S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 120Кешбэк 618 баллов
    BM63377S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 821Кешбэк 723 балла
    BM64377S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 700Кешбэк 705 баллов
    BM63375S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 122Кешбэк 618 баллов
    BM63564S-VCINTELLIGENT POWER MODULE
    4 116Кешбэк 617 баллов
    BM63564S-VAINTELLIGENT POWER MODULE
    2 485Кешбэк 372 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП