Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
NXPSC106506Q
  • В избранное
  • В сравнение
NXPSC106506Q

NXPSC106506Q

NXPSC106506Q
;
NXPSC106506Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    NXPSC106506Q
  • Описание:
    Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена NXPSC106506Q при покупке от 1 шт 914.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXPSC106506Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXPSC106506Q

NXPSC106506Q WEEN SEMICONDUCTORS Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 10А
    • Форм-фактор: TO220AC
  • Плюсы:
    • Низкий напряжения перехода (менее 0,3В)
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Высокая частота работы
    • Компактность и надежность
  • Минусы:
    • Уязвимость к перенапряжению
    • Требует дополнительных защитных мер
  • Общее назначение:
    • Преобразование напряжений
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулирование напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Инверторы
    • Передатчики и приемники
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики NXPSC106506Q

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    250 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    300pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    NXPSC

Техническая документация

 NXPSC106506Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 923 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    914 ₽
  • 10
    699 ₽
  • 100
    481 ₽
  • 500
    435 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    NXPSC106506Q
  • Описание:
    Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена NXPSC106506Q при покупке от 1 шт 914.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXPSC106506Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXPSC106506Q

NXPSC106506Q WEEN SEMICONDUCTORS Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 10А
    • Форм-фактор: TO220AC
  • Плюсы:
    • Низкий напряжения перехода (менее 0,3В)
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Высокая частота работы
    • Компактность и надежность
  • Минусы:
    • Уязвимость к перенапряжению
    • Требует дополнительных защитных мер
  • Общее назначение:
    • Преобразование напряжений
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулирование напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Инверторы
    • Передатчики и приемники
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики NXPSC106506Q

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 10 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    250 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    300pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    NXPSC

Техническая документация

 NXPSC106506Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB578VYM100FHTRДиод: DIODE SCHOTTKY 100V SMD
    67Кешбэк 10 баллов
    RBR2MM60ATFTRДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 60V-VR 2A-
    69Кешбэк 10 баллов
    RR1VWM4STFTRSUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    69Кешбэк 10 баллов
    BAS21HYT116200V, 200MA, SOT-23, SINGLE, SWI
    69Кешбэк 10 баллов
    RB520HS-30T15RДиод: DIODE SCHOTTKY 30V SMD0603B
    69Кешбэк 10 баллов
    RB520CS-30FHT2RAДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODES (CORRESP
    69Кешбэк 10 баллов
    RSX071VYM30FHTRSCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
    69Кешбэк 10 баллов
    BAS16HYFHT116HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    69Кешбэк 10 баллов
    RBS1LAM40ATRДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A PMDTM
    69Кешбэк 10 баллов
    RB056LAM-40TRДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    70Кешбэк 10 баллов
    RSX201VYM30FHTRДиод: RSX201VYM30FHIS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RR268MM-600TRDIODE GEN PURP 600V 1A PMDU
    70Кешбэк 10 баллов
    RB162MM-40TFTRДиод: RB162MM-40TF IS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RR1VWM6STRRR1VWM6S IS RECTIFYING DIODE FOR
    70Кешбэк 10 баллов
    RB055LAM-40TRDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    70Кешбэк 10 баллов
    BAS21HYFHT116Диод: 200V, 200MA, SOT-23, SINGLE, AUT
    70Кешбэк 10 баллов
    RF071LAM4STFTRRF071LAM4STF IS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RR1VWM6STFTRRECTIFIER DIODE
    70Кешбэк 10 баллов
    RB551VM-40TE-17DIODE SCHOTTKY 30V 500MA UMD2
    70Кешбэк 10 баллов
    RB068MM-60TFTRДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU
    70Кешбэк 10 баллов
    RF101LAM2STRДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDTM
    72Кешбэк 10 баллов
    RB521SM-40FHT2RДиод: DIODE RECTIFIER FRD 45V-VRM 40
    72Кешбэк 10 баллов
    RRE02VTM6SFHTRДиод: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO
    72Кешбэк 10 баллов
    RF201LAM2STRДиод: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDTM
    72Кешбэк 10 баллов
    RB055LAM-60TRDIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM
    74Кешбэк 11 баллов
    RFU01SM4ST2RДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE FOR GE
    76Кешбэк 11 баллов
    RB168VYM-30FHTRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE
    76Кешбэк 11 баллов
    RB160VYM-40FHTRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
    76Кешбэк 11 баллов
    RB168VAM-30TRSUPER LOW IR, 30V, 1A, SOD-323HE
    76Кешбэк 11 баллов
    RFNL5BM6SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    76Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП