NXPSC20650W-AQ

NXPSC20650W-AQ WEEN SEMICONDUCTORS Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение (V_RRM): 650 В
  • Рейтингная токовая характеристика (I_SM): 20 А
  • Максимальный тепловой ток (I_TO): 125 °C
  • Максимальная частота переключения: до 20 кГц
• Плюсы:
  • Высокая проводимость при высоких температурах
  • Низкий коэффициент тока при переключении
  • Уменьшение размеров и веса устройств благодаря более высокой плотности мощности
  • Конечно-термическая стабильность
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с диодами на основе Si
  • Требуется дополнительное оборудование для производства
  • Возможны проблемы с проектированием и монтажом из-за высоких температурных характеристик
• Общее назначение:
  • Передача мощности в схемах питания
  • Защита от обратного тока
  • Переключение высоких токов при низких и высоких частотах
• Применение:
  • Автомобильные системы питания
  • Системы энергоснабжения зданий
  • Инверторы
  • Промышленные преобразователи