Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Модули драйверов питания
NXV65HR82DS1
  • В избранное
  • В сравнение
NXV65HR82DS1

NXV65HR82DS1

NXV65HR82DS1
;
NXV65HR82DS1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NXV65HR82DS1
  • Описание:
    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDGВсе характеристики

Минимальная цена NXV65HR82DS1 при покупке от 1 шт 6445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DS1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DS1

Разрешенная маркировка:

  • NXV65HR82DS1
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание: Автомобильный мощный модуль H-브리지

Основные параметры:

  • Тип: Мощный модуль H-брюга
  • Мощность: 650 В, 82 A
  • Технология: SiC (сажен)
  • Применение: Автомобильная электроника

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Низкий уровень шума
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Короткое время реакции

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуется специальное оборудование для монтажа
  • Требуются дополнительные меры по охлаждению

Общее назначение:

  • Используется для управления мощными электрическими цепями в автомобильной электронике
  • Подходит для систем управления двигателем, зарядных устройств, инверторов и других приложений

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Электромобили и гибридные автомобили
Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DS1

  • Package
    Tube
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    H-Bridge
  • Сила тока
    26 A
  • Напряжение
    650 V
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads

Техническая документация

 NXV65HR82DS1.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 445 ₽
  • 12
    4 817 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NXV65HR82DS1
  • Описание:
    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDGВсе характеристики

Минимальная цена NXV65HR82DS1 при покупке от 1 шт 6445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DS1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DS1

Разрешенная маркировка:

  • NXV65HR82DS1
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание: Автомобильный мощный модуль H-브리지

Основные параметры:

  • Тип: Мощный модуль H-брюга
  • Мощность: 650 В, 82 A
  • Технология: SiC (сажен)
  • Применение: Автомобильная электроника

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Низкий уровень шума
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Короткое время реакции

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуется специальное оборудование для монтажа
  • Требуются дополнительные меры по охлаждению

Общее назначение:

  • Используется для управления мощными электрическими цепями в автомобильной электронике
  • Подходит для систем управления двигателем, зарядных устройств, инверторов и других приложений

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Электромобили и гибридные автомобили
Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DS1

  • Package
    Tube
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    H-Bridge
  • Сила тока
    26 A
  • Напряжение
    650 V
  • Изоляционное напряжение
    5000Vrms
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads

Техническая документация

 NXV65HR82DS1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGIPQ4C60T-HZSLLIMM NANO 2ND SERIES IPM, 3-PH
    1 612Кешбэк 241 балл
    STGIB8CH60TS-LSLLIMM
    2 507Кешбэк 376 баллов
    STGIB20M60TS-LSLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE I
    2 759Кешбэк 413 баллов
    STGIB30M60TS-LSLLIMM(TM) - 2ND SERIES IPM, 3-P
    3 218Кешбэк 482 балла
    STGIK50CH65TSLLIMM HIGH POWER IPM, 3-PHASE I
    8 557Кешбэк 1 283 балла
    STIPNS1M50SDT-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 593Кешбэк 238 баллов
    STIPNS2M50-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    2 039Кешбэк 305 баллов
    STGIPNS3HD60-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 797Кешбэк 269 баллов
    STIPQ5M60T-HLPOWER TRANSISTORS
    2 277Кешбэк 341 балл
    STIB1060DM2T-LSLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE I
    4 370Кешбэк 655 баллов
    STIPQ5M60T-HZPOWER TRANSISTORS
    2 034Кешбэк 305 баллов
    STGIPQ3H60T-HZSPWR MODULE 600V 3A 26DIP
    1 584Кешбэк 237 баллов
    STIPQ3M60T-HLPOWER TRANSISTORS
    1 971Кешбэк 295 баллов
    STGIPNS3H60T-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 743Кешбэк 261 балл
    STIPN1M50-HSLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTEL
    1 262Кешбэк 189 баллов
    MSCSM120SKM11CT3AGPM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    33 591Кешбэк 5 038 баллов
    MSCSM120DAM11CT3AGPM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    33 591Кешбэк 5 038 баллов
    IM240S6Y1BAKMA1CIPOS MICRO
    2 222Кешбэк 333 балла
    IM818SCCXKMA1CIPOS MAXI 1200V 8A 24PWRDIP
    3 626Кешбэк 543 балла
    BM63374S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 918Кешбэк 587 баллов
    BM63375S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 342Кешбэк 501 балл
    BM63964S-VCINTELLIGENT POWER MODULE
    2 485Кешбэк 372 балла
    BM63573S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 615Кешбэк 542 балла
    BM63573S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    3 144Кешбэк 471 балл
    BM63374S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 120Кешбэк 618 баллов
    BM63377S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 821Кешбэк 723 балла
    BM64377S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 700Кешбэк 705 баллов
    BM63375S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 122Кешбэк 618 баллов
    BM63564S-VCINTELLIGENT POWER MODULE
    4 116Кешбэк 617 баллов
    BM63564S-VAINTELLIGENT POWER MODULE
    2 485Кешбэк 372 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП