Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NXV65HR82DS1

NXV65HR82DS1

NXV65HR82DS1
;
NXV65HR82DS1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NXV65HR82DS1 при покупке от 1 шт 6445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DS1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DS1

Разрешенная маркировка:

  • NXV65HR82DS1
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание: Автомобильный мощный модуль H-브리지

Основные параметры:

  • Тип: Мощный модуль H-брюга
  • Мощность: 650 В, 82 A
  • Технология: SiC (сажен)
  • Применение: Автомобильная электроника

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Низкий уровень шума
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Короткое время реакции

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуется специальное оборудование для монтажа
  • Требуются дополнительные меры по охлаждению

Общее назначение:

  • Используется для управления мощными электрическими цепями в автомобильной электронике
  • Подходит для систем управления двигателем, зарядных устройств, инверторов и других приложений

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Электромобили и гибридные автомобили
Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DS1

Техническая документация

NXV65HR82DS1.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 445 ₽
  • 12
    4 817 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NXV65HR82DS1 при покупке от 1 шт 6445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXV65HR82DS1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXV65HR82DS1

Разрешенная маркировка:

  • NXV65HR82DS1
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание: Автомобильный мощный модуль H-브리지

Основные параметры:

  • Тип: Мощный модуль H-брюга
  • Мощность: 650 В, 82 A
  • Технология: SiC (сажен)
  • Применение: Автомобильная электроника

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Низкий уровень шума
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Короткое время реакции

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуется специальное оборудование для монтажа
  • Требуются дополнительные меры по охлаждению

Общее назначение:

  • Используется для управления мощными электрическими цепями в автомобильной электронике
  • Подходит для систем управления двигателем, зарядных устройств, инверторов и других приложений

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Электромобили и гибридные автомобили
Выбрано: Показать

Характеристики NXV65HR82DS1

Техническая документация

NXV65HR82DS1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории