PBLS4004V,115

PBLS4004V, 115 Nexperia USA Inc. Транзистор

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
  • Рейтинг напряжения (Vds): 115 В
  • Рейтинг тока (Id): 4 А
  • Тип заряда/разряда (Qg): 27 нКл
  • Резистивность передней кромки (Rds(on) max): 3.8 Ω при 25°C
• Плюсы:
  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый ток статического тока (leakage current)
  • Низкое значение резистивности передней кромки (Rds(on))
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
  • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
  • Использование в электронных устройствах, требующих высокого уровня надежности и точности
  • Регулировка и управление током в различных приборах
  • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Системы управления электроприводом
  • Высокочастотные трансформаторы
  • Электронные блоки питания
  • Датчики и системы измерения