Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
PBSS4350T,215
  • В избранное
  • В сравнение
PBSS4350T,215

PBSS4350T,215

PBSS4350T,215
;
PBSS4350T,215

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PBSS4350T,215
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 2A TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PBSS4350T,215 при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PBSS4350T,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PBSS4350T,215

PBSS4350T, 215 Nexperia USA Inc. TRANS NPN 50V 2A TO236AB — это транзистор ненаправленного действия (транзистор NPN) с параметрами, указанными в названии.

  • Параметры:
    • Напряжение блокировки U(BR)CEO: 50В
    • Разрядная способность I(C): 2А
    • Комплектация: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке и проверенным технологиям производства.
    • Высокие параметры по напряжению и току.
    • Универсальность применения в различных электронных устройствах.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными аналогами.
    • Требует внимания при проектировании и монтаже из-за высоких токовых и напряжений параметров.
  • Общее назначение:
    • Использование в качестве управляющего элемента в различных схемах.
    • Для управления током в нагрузках.
    • Для создания усилителей и регуляторов напряжения.
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника.
    • Питание и управление электроприборами.
    • Устройства связи.
    • Иllumination systems (системы освещения).
    • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики PBSS4350T,215

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    370mV @ 300mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    300 @ 1A, 2V
  • Рассеивание мощности
    540 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PBSS4350

Техническая документация

 PBSS4350T,215.pdf
pdf. 0 kb
  • 2000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    93 ₽
  • 50
    41 ₽
  • 3000
    20 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PBSS4350T,215
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 2A TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PBSS4350T,215 при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PBSS4350T,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PBSS4350T,215

PBSS4350T, 215 Nexperia USA Inc. TRANS NPN 50V 2A TO236AB — это транзистор ненаправленного действия (транзистор NPN) с параметрами, указанными в названии.

  • Параметры:
    • Напряжение блокировки U(BR)CEO: 50В
    • Разрядная способность I(C): 2А
    • Комплектация: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке и проверенным технологиям производства.
    • Высокие параметры по напряжению и току.
    • Универсальность применения в различных электронных устройствах.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными аналогами.
    • Требует внимания при проектировании и монтаже из-за высоких токовых и напряжений параметров.
  • Общее назначение:
    • Использование в качестве управляющего элемента в различных схемах.
    • Для управления током в нагрузках.
    • Для создания усилителей и регуляторов напряжения.
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника.
    • Питание и управление электроприборами.
    • Устройства связи.
    • Иllumination systems (системы освещения).
    • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики PBSS4350T,215

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    370mV @ 300mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    300 @ 1A, 2V
  • Рассеивание мощности
    540 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PBSS4350

Техническая документация

 PBSS4350T,215.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TIP32CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    164Кешбэк 24 балла
    2SB1204S-TL-ETRANS PNP 50V 8A TPFA
    165Кешбэк 24 балла
    TIP127GТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220
    165Кешбэк 24 балла
    MJD50T4GTRANS NPN 400V 1A DPAK
    166Кешбэк 24 балла
    MJD210GTRANS PNP 25V 5A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    MJD122GTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
    177Кешбэк 26 баллов
    TIP122GТранзистор: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220
    179Кешбэк 26 баллов
    BD237GТранзистор: TRANS NPN 80V 2A TO126
    181Кешбэк 27 баллов
    2N6109GTRANS PNP 50V 7A TO220
    185Кешбэк 27 баллов
    12A02MH-TL-ETRANS PNP 12V 1A 3MCPH
    187Кешбэк 28 баллов
    D45VH10GТранзистор: TRANS PNP 80V 15A TO220
    190Кешбэк 28 баллов
    MJE171TRANS PNP 60V 3A TO126
    194Кешбэк 29 баллов
    D45H8GTRANS PNP 60V 10A TO220
    197Кешбэк 29 баллов
    MJD45H11T4GТранзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAK
    198Кешбэк 29 баллов
    MJD44H11T4GТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    BD242CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    200Кешбэк 30 баллов
    MJD340GТранзистор: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    MJE172GТранзистор: TRANS PNP 80V 3A TO126
    204Кешбэк 30 баллов
    BD137GTRANS NPN 60V 1.5A TO126
    209Кешбэк 31 балл
    MJD127T4GTRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    MJE350GTRANS PNP 300V 0.5A TO126
    215Кешбэк 32 балла
    BD13716STUТранзистор: TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3
    215Кешбэк 32 балла
    BD440STRANS PNP 60V 4A TO126-3
    220Кешбэк 33 балла
    2N6111GTRANS PNP 30V 7A TO220
    222Кешбэк 33 балла
    TIP31BGTRANS NPN 80V 3A TO220
    226Кешбэк 33 балла
    BD442GTRANS PNP 80V 4A TO126
    226Кешбэк 33 балла
    TIP29CGТранзистор: TRANS NPN 100V 1A TO220
    228Кешбэк 34 балла
    TIP32AGТранзистор: TRANS PNP 60V 3A TO220
    231Кешбэк 34 балла
    2N4923GTRANS NPN 80V 1A TO126
    232Кешбэк 34 балла
    MJD31CGTRANS NPN 100V 3A DPAK
    234Кешбэк 35 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП