Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ
;
PBSS5130QAZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PBSS5130QAZ при покупке от 4212 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PBSS5130QAZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ NXP Semiconductors TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 — это полупроводниковый транзистор с положительным смещением коллектора (PNP), который используется в различных электронных приложениях. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-;base-эmitter: 30В
    • Номинальный ток коллектора: 1А
    • Количество пакетов: DFN1010D-3
  • Преимущества:
    • Высокая надежность: Надежное устройство для работы в различных условиях.
    • Малый размер: Компактный пакет DFN1010D-3 позволяет использовать его в ограниченном пространстве.
    • Низкий сопротивление затвора: Уменьшает энергетические потери.
  • Недостатки:
    • Усилие управления: Требуется более высокое напряжение для управления транзистором.
    • Пределы рабочей температуры: Может быть ограничено для некоторых приложений.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
    • Переключение высоких токов
  • Области применения:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Радиоэлектронные устройства
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики PBSS5130QAZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    240mV @ 100mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    130 @ 1A, 2V
  • Рассеивание мощности
    325 mW
  • Трансформация частоты
    170MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    DFN1010D-3
  • Base Product Number
    PBSS5130

Техническая документация

PBSS5130QAZ.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 4212 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена PBSS5130QAZ при покупке от 4212 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PBSS5130QAZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ NXP Semiconductors TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 — это полупроводниковый транзистор с положительным смещением коллектора (PNP), который используется в различных электронных приложениях. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-;base-эmitter: 30В
    • Номинальный ток коллектора: 1А
    • Количество пакетов: DFN1010D-3
  • Преимущества:
    • Высокая надежность: Надежное устройство для работы в различных условиях.
    • Малый размер: Компактный пакет DFN1010D-3 позволяет использовать его в ограниченном пространстве.
    • Низкий сопротивление затвора: Уменьшает энергетические потери.
  • Недостатки:
    • Усилие управления: Требуется более высокое напряжение для управления транзистором.
    • Пределы рабочей температуры: Может быть ограничено для некоторых приложений.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
    • Переключение высоких токов
  • Области применения:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Радиоэлектронные устройства
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики PBSS5130QAZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    240mV @ 100mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    130 @ 1A, 2V
  • Рассеивание мощности
    325 mW
  • Трансформация частоты
    170MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    DFN1010D-3
  • Base Product Number
    PBSS5130

Техническая документация

PBSS5130QAZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 4212 шт