Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
PCDP1265G1_T0_00001
  • В избранное
  • В сравнение
PCDP1265G1_T0_00001

PCDP1265G1_T0_00001

PCDP1265G1_T0_00001
;
PCDP1265G1_T0_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit
  • Артикул:
    PCDP1265G1_T0_00001
  • Описание:
    Диод: TO-220AC, SICВсе характеристики

Минимальная цена PCDP1265G1_T0_00001 при покупке от 1 шт 739.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PCDP1265G1_T0_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PCDP1265G1_T0_00001

Диод TO-220AC, SIC от Panjit International Inc.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 1200 В
    • Максимальный ток: 65 А
    • Тип: SIC (Silicon Carbide)
    • Форм-фактор: TO-220AC
  • Плюсы:
    • Высокая conductivittсть при высоких температурах
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к износу и воздействию внешних факторов
    • Компактность и надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют более сложного охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Применяется в высоковольтных и высокоточной электронике
    • Используется в системах управления превращением энергии
    • Служит для защиты электронных схем от обратного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные преобразователи питания
    • Системы управления двигателей
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PCDP1265G1_T0_00001

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 12 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    80 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    452pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 PCDP1265G1_T0_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 1994 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    739 ₽
  • 10
    385 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit
  • Артикул:
    PCDP1265G1_T0_00001
  • Описание:
    Диод: TO-220AC, SICВсе характеристики

Минимальная цена PCDP1265G1_T0_00001 при покупке от 1 шт 739.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PCDP1265G1_T0_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PCDP1265G1_T0_00001

Диод TO-220AC, SIC от Panjit International Inc.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 1200 В
    • Максимальный ток: 65 А
    • Тип: SIC (Silicon Carbide)
    • Форм-фактор: TO-220AC
  • Плюсы:
    • Высокая conductivittсть при высоких температурах
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к износу и воздействию внешних факторов
    • Компактность и надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют более сложного охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Применяется в высоковольтных и высокоточной электронике
    • Используется в системах управления превращением энергии
    • Служит для защиты электронных схем от обратного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные преобразователи питания
    • Системы управления двигателей
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PCDP1265G1_T0_00001

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 12 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    80 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    452pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

 PCDP1265G1_T0_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VSS8D3M10-M3/I3A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    106Кешбэк 15 баллов
    VSS8D3M6HM3/H3A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY REC
    106Кешбэк 15 баллов
    V8PM10-M3/HDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
    109Кешбэк 16 баллов
    VSS8D5M6HM3/I5A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY REC
    109Кешбэк 16 баллов
    VS-8ETL06-M3DIODE FRED 600V 8A TO220AC
    109Кешбэк 16 баллов
    VSS8D5M10HM3/H5A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    111Кешбэк 16 баллов
    VSS8D3M12HM3/I3A, 120V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    115Кешбэк 17 баллов
    VS-3EYH02HM3/IFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    115Кешбэк 17 баллов
    VSS8D3M6HM3/I3A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY REC
    115Кешбэк 17 баллов
    VS-6EVH06-M3/IDIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK
    117Кешбэк 17 баллов
    VS-3EYH01HM3/IFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    120Кешбэк 18 баллов
    V8PM6-M3/HDIODE SCHOTTKY 8A 60V SMPC
    124Кешбэк 18 баллов
    VSS8D5M12HM3/I5A, 120V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    133Кешбэк 19 баллов
    V8P15-M3/HDIODE SCHOTTKY 150V 8A TO277A
    133Кешбэк 19 баллов
    V8PM45HM3/HDIODE SCHOTTKY 8A 45V SMPC
    135Кешбэк 20 баллов
    V8PM15-M3/HDIODE SCHOTTKY 8A 150V SMPC
    137Кешбэк 20 баллов
    SSB44HM3_A/I4A 40V SM SCHOTTKY RECT SMB
    137Кешбэк 20 баллов
    V8PM10HM3/HDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
    137Кешбэк 20 баллов
    SSB44HM3_A/H4A 40V SM SCHOTTKY RECT SMB
    137Кешбэк 20 баллов
    V10PM45HM3/HDIODE SCHOTTKY TMBS 10A 45V SMPC
    137Кешбэк 20 баллов
    GP10-4003-E3/54DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    139Кешбэк 20 баллов
    V10PM45-M3/HDIODE SCHOTTKY TMBS 10A 45V SMPC
    143Кешбэк 21 балл
    V8P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A
    154Кешбэк 23 балла
    V8P6HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277A
    154Кешбэк 23 балла
    V8P15HM3/HDIODE SCHOTTKY 150V 8A TO277A
    156Кешбэк 23 балла
    S8CM-M3/IДиод: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB
    161Кешбэк 24 балла
    SE100PWJHM3/IDIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK
    161Кешбэк 24 балла
    SS34HE3_B/HДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
    172Кешбэк 25 баллов
    SS34HE3_B/IДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
    172Кешбэк 25 баллов
    VS-15EVU06-M3/IDIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK
    174Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП