Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTA113EMB,315

PDTA113EMB,315

PDTA113EMB,315
;
PDTA113EMB,315

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA113EMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA113EMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA113EMB,315 при покупке от 3915 шт 14.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA113EMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA113EMB,315

PDTA113EMB, 315 Nexperia USA Inc.

  • Тип транзистора: NOW (N-Channel, Enhancement Mode, DMOS)
  • Номинальная мощность: 315 Вт
  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Рабочий ток: 13 А
  • Питание: 600 В
  • Диэлектрическая изоляция: 1700 В
  • Плюсы:
  • Высокая мощность
  • Стабильная работа при высоких напряжениях
  • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузкой
  • Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как инверторы, преобразователи напряжения, системы управления двигателем.
  • Применяется в:
  • Автомобильной промышленности (системы управления двигателем)
  • Индустрии (преобразователи напряжения)
  • Инверторы для бытовых приборов
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA113EMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 40mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 1.5mA, 30mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA113

Техническая документация

PDTA113EMB,315.pdf
pdf. 0 kb
  • 140000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 3915 шт
  • Количество
    Цена
  • 3915
    14.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA113EMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA113EMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA113EMB,315 при покупке от 3915 шт 14.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA113EMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA113EMB,315

PDTA113EMB, 315 Nexperia USA Inc.

  • Тип транзистора: NOW (N-Channel, Enhancement Mode, DMOS)
  • Номинальная мощность: 315 Вт
  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Рабочий ток: 13 А
  • Питание: 600 В
  • Диэлектрическая изоляция: 1700 В
  • Плюсы:
  • Высокая мощность
  • Стабильная работа при высоких напряжениях
  • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузкой
  • Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как инверторы, преобразователи напряжения, системы управления двигателем.
  • Применяется в:
  • Автомобильной промышленности (системы управления двигателем)
  • Индустрии (преобразователи напряжения)
  • Инверторы для бытовых приборов
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA113EMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 40mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 1.5mA, 30mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA113

Техническая документация

PDTA113EMB,315.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3915 шт