Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
PDTA113ET,215
  • В избранное
  • В сравнение
PDTA113ET,215

PDTA113ET,215

PDTA113ET,215
;
PDTA113ET,215

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PDTA113ET,215
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PDTA113ET,215 при покупке от 1 шт 22.20 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA113ET,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA113ET,215

PDTA113ET,215 Nexperia Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения ВБ: 50В
    • Рейтинг напряжения ВЕ: 50В
    • Рейтинг мощности: 113ВА
    • Тип: PNP (полярный ненаружно-преднаправленный)
    • Оболочка: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокие показатели стабильности
    • Устойчивость к шуму и помехам
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление
    • Требует дополнительного предварительного усилителя
  • Общее назначение:
    • Использование в системах регулирования напряжения
    • Коммутация высоких токов
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения в бытовой технике
    • Цифровые и аналоговые схемы управления
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA113ET,215

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 40mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 1.5mA, 30mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PDTA113

Техническая документация

 PDTA113ET,215.pdf
pdf. 0 kb
  • 2640 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    22.2 ₽
  • 50
    12.4 ₽
  • 500
    6.3 ₽
  • 3000
    4.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PDTA113ET,215
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PDTA113ET,215 при покупке от 1 шт 22.20 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA113ET,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA113ET,215

PDTA113ET,215 Nexperia Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения ВБ: 50В
    • Рейтинг напряжения ВЕ: 50В
    • Рейтинг мощности: 113ВА
    • Тип: PNP (полярный ненаружно-преднаправленный)
    • Оболочка: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокие показатели стабильности
    • Устойчивость к шуму и помехам
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление
    • Требует дополнительного предварительного усилителя
  • Общее назначение:
    • Использование в системах регулирования напряжения
    • Коммутация высоких токов
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения в бытовой технике
    • Цифровые и аналоговые схемы управления
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA113ET,215

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 40mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 1.5mA, 30mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PDTA113

Техническая документация

 PDTA113ET,215.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MUN5212T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    29.6Кешбэк 4 балла
    DTC143ZM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NSVMMUN2133LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    DTA124EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    29.6Кешбэк 4 балла
    DTA123EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    29.6Кешбэк 4 балла
    SMUN5111T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMMUN2135LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    31.5Кешбэк 4 балла
    MUN2232T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    26Кешбэк 3 балла
    DTA143EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    39Кешбэк 5 баллов
    MUN5213T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    28Кешбэк 4 балла
    MUN2111T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
    35Кешбэк 5 баллов
    DTC143TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    44.5Кешбэк 6 баллов
    DTA143EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    28Кешбэк 4 балла
    SMUN2216T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    37Кешбэк 5 баллов
    SMMUN2116LT3GTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    MUN2212T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    29.6Кешбэк 4 балла
    DTC113EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
    29.6Кешбэк 4 балла
    MUN2216T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    33.3Кешбэк 4 балла
    NSVMUN2237T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59
    41Кешбэк 6 баллов
    MUN5241T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    29.6Кешбэк 4 балла
    NSVMMUN2131LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    31.5Кешбэк 4 балла
    SMUN5215T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    MUN5115T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    MMUN2135LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    SMUN5112T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMUN5237T1GТранзистор: TRANS NPN 50V BIPOLAR SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMUN5131T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMUN2212T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
    37Кешбэк 5 баллов
    SMUN5232T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMMUN2230LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП