Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTA113ZMB,315

PDTA113ZMB,315

PDTA113ZMB,315
;
PDTA113ZMB,315

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA113ZMB,315
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3Все характеристики

Минимальная цена PDTA113ZMB,315 при покупке от 3915 шт 14.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA113ZMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA113ZMB,315

PDTA113ZMB, 315 Nexperia USA Inc. — транзистор пребиаса PNP с напряжением срабатывания 50В, упаковкой DFN1006B-3.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VCEO): 50В
    • Ток срабатывания (ICBO): 315мА
    • Тип: пребиашный PNP
    • Упаковка: DFN1006B-3
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания до 50В
    • Высокая плотность мощности благодаря DFN-упаковке
    • Малый размер и легкий вес
    • Прочная конструкция для надежной работы в различных условиях
  • Минусы:
    • Средний ток срабатывания (315мА) может быть недостаточным для некоторых приложений
    • Требует дополнительного регулирования или биаса питания
  • Общее назначение:
    • Используется для создания пребиашных цепей
    • Поддерживает стабилизацию тока в других транзисторах
    • Входит в состав различных электронных устройств, требующих точного управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
    • Промышленные контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA113ZMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA113

Техническая документация

PDTA113ZMB,315.pdf
pdf. 0 kb
  • 249250 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 3915 шт
  • Количество
    Цена
  • 3915
    14.8 ₽
  • 10000
    9 ₽
  • 20000
    8.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA113ZMB,315
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3Все характеристики

Минимальная цена PDTA113ZMB,315 при покупке от 3915 шт 14.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA113ZMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA113ZMB,315

PDTA113ZMB, 315 Nexperia USA Inc. — транзистор пребиаса PNP с напряжением срабатывания 50В, упаковкой DFN1006B-3.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VCEO): 50В
    • Ток срабатывания (ICBO): 315мА
    • Тип: пребиашный PNP
    • Упаковка: DFN1006B-3
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания до 50В
    • Высокая плотность мощности благодаря DFN-упаковке
    • Малый размер и легкий вес
    • Прочная конструкция для надежной работы в различных условиях
  • Минусы:
    • Средний ток срабатывания (315мА) может быть недостаточным для некоторых приложений
    • Требует дополнительного регулирования или биаса питания
  • Общее назначение:
    • Используется для создания пребиашных цепей
    • Поддерживает стабилизацию тока в других транзисторах
    • Входит в состав различных электронных устройств, требующих точного управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
    • Промышленные контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA113ZMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA113

Техническая документация

PDTA113ZMB,315.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3915 шт