Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTA115EMB,315

PDTA115EMB,315

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA115EMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA115EMB,315 при покупке от 3915 шт 15.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA115EMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PDTA115EMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA115
Техническая документация
PDTA115EMB,315.pdf
pdf. 0 kb
  • 199970 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 3915
    15 ₽

Минимально и кратно 3915 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA115EMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA115EMB,315 при покупке от 3915 шт 15.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA115EMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PDTA115EMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA115
Техническая документация
PDTA115EMB,315.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории