PDTA123JQAZ

PDTA123JQAZ Nexperia USA Inc. Транзистор

• Основные параметры:
  • Тип: MOSFET (полупроводниковый полевой транзистор)
  • Стрелочный ток: 123 A
  • Максимальное напряжение: 10 V
  • Резистивность рога: 4 mΩ
  • Количество каналов: 1
• Плюсы:
  • Высокая conductance при низком резистивитете
  • Устойчивость к электрическим шумам
  • Малые размеры и легкость установки
  • Низкий уровень тепловыделения
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Не рекомендуется для работы при высоких температурах
  • Не подходит для высокочастотных приложений
• Общее назначение:
  • Регулировка напряжения
  • Переключение тока
  • Усиление сигнала
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства бытовой техники
  • Питание устройств
  • Инверторы
  • Системы управления двигателем