Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTA124EMB,315

PDTA124EMB,315

PDTA124EMB,315
;
PDTA124EMB,315

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA124EMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA124EMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA124EMB,315 при покупке от 3519 шт 16.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA124EMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA124EMB,315

PDTA124EMB - неблокирующий диод с высоким напряжением и низким сопротивлением.

  • Основные параметры:
    • Напряжение обратного срабатывания: 1200 В
    • Ток при обратном срабатывании: 4 А
    • Сопротивление при прямом срабатывании: ~0.07 Ом
    • Максимальная температура корпуса: +150 °C
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение обратного срабатывания
    • Низкое сопротивление при прямом срабатывании
    • Устойчивость к тепловому воздействию
  • Минусы:
    • Не подходит для постоянных нагрузок на обратное срабатывание
    • Требует дополнительной защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Обеспечение стабильной работы при скачках напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электрооборудование бытовой техники
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA124EMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA124

Техническая документация

PDTA124EMB,315.pdf
pdf. 0 kb
  • 129990 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 3519 шт
  • Количество
    Цена
  • 3519
    16.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTA124EMB,315
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA124EMB - SMALLВсе характеристики

Минимальная цена PDTA124EMB,315 при покупке от 3519 шт 16.70 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTA124EMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTA124EMB,315

PDTA124EMB - неблокирующий диод с высоким напряжением и низким сопротивлением.

  • Основные параметры:
    • Напряжение обратного срабатывания: 1200 В
    • Ток при обратном срабатывании: 4 А
    • Сопротивление при прямом срабатывании: ~0.07 Ом
    • Максимальная температура корпуса: +150 °C
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение обратного срабатывания
    • Низкое сопротивление при прямом срабатывании
    • Устойчивость к тепловому воздействию
  • Минусы:
    • Не подходит для постоянных нагрузок на обратное срабатывание
    • Требует дополнительной защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Обеспечение стабильной работы при скачках напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электрооборудование бытовой техники
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики PDTA124EMB,315

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Трансформация частоты
    180 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTA124

Техническая документация

PDTA124EMB,315.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3519 шт