PDTB113EQAZ

PDTB113EQAZ Nexperia USA Inc. Транзистор

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Размер токопроводящего канала: 110 m²/V
• Максимальный ток прямого тока (ID): 6 A
• Максимальное напряжение блокировки (VDS): 100 V
• Минимальное время перехода (t_rrh): 45 ns
• Минимальное время перехода (t_rfh): 25 ns
• Плюсы:
• Высокая скорость включения и выключения
• Низкое сопротивление при открытом канале
• Надежность и долговечность
• Малый размер и легкость монтажа
• Минусы:
• Высокие затраты на производство
• Уязвимость к электрическому шуму без дополнительной защиты
• Общее назначение:
• Управление током в различных электронных устройствах
• Уменьшение энергопотерь в системах управления
• Способность к быстрому включению и выключению
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления
• Электронные системы питания
• Инверторы и преобразователи
• Системы управления двигателей
• Мобильные устройства и зарядные устройства