Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTB113EUX

PDTB113EUX

PDTB113EUX
;
PDTB113EUX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PDTB113EUX при покупке от 2817 шт 20.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTB113EUX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTB113EUX

PDTB113EUX Nexperia USA Inc. Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • Основные параметры:
    • Тип: преамплифицированный PNP транзистор
    • Мощность: 0,425 Вт
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера: ~6 В
    • Номинальный ток базы: ~50 мА
    • Номинальный ток эмиттера: ~1 А
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность характеристики
    • Устойчивость к перегреву
    • Хорошая линейность сигнала
    • Простота в использовании
  • Минусы:
    • Высокое энергетическое потребление по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительного источника питания для предварительной подстройки
  • Общее назначение:
    • Использование в усилителях предварительной подстройки (prebias amplifiers)
    • В составе логических цепей
    • Для создания симметричных усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Коммуникационное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы и другие небольшие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики PDTB113EUX

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    33 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    140 MHz
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    PDTB113

Техническая документация

PDTB113EUX.pdf
pdf. 0 kb
  • 56999 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 2817 шт
  • Количество
    Цена
  • 2817
    20.4 ₽
  • 3000
    14 ₽
  • 6000
    12.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена PDTB113EUX при покупке от 2817 шт 20.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTB113EUX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTB113EUX

PDTB113EUX Nexperia USA Inc. Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • Основные параметры:
    • Тип: преамплифицированный PNP транзистор
    • Мощность: 0,425 Вт
    • Номинальное напряжение базы-эмиттера: ~6 В
    • Номинальный ток базы: ~50 мА
    • Номинальный ток эмиттера: ~1 А
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность характеристики
    • Устойчивость к перегреву
    • Хорошая линейность сигнала
    • Простота в использовании
  • Минусы:
    • Высокое энергетическое потребление по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительного источника питания для предварительной подстройки
  • Общее назначение:
    • Использование в усилителях предварительной подстройки (prebias amplifiers)
    • В составе логических цепей
    • Для создания симметричных усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Коммуникационное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы и другие небольшие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики PDTB113EUX

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    33 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    100mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    140 MHz
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    PDTB113

Техническая документация

PDTB113EUX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 2817 шт