Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
PDTC114TT,235
  • В избранное
  • В сравнение
PDTC114TT,235

PDTC114TT,235

PDTC114TT,235
;
PDTC114TT,235

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PDTC114TT,235
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PDTC114TT,235 при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTC114TT,235 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTC114TT,235

PDTC114TT,235 Nexperia USA Inc.

  • Тип: Транзистор предсмещения NPN
  • Напряжение стакана: 50В
  • Оболочка: TO236AB

Основные параметры:

  • ICBO: ≤1μA (max)
  • VCEO: 50В
  • ICM: ≤10mA (max)
  • hFE (VCE=10V, IC=10mA): 100-300

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к износу и перегрузкам
  • Простота использования и монтажа

Минусы:

  • Высокие требования к теплоотводу
  • Высокая цена по сравнению с менее сложными вариантами

Общее назначение:

  • Использование в качестве предсмещения для других транзисторов и каскадов
  • Компенсация температурных изменений
  • Регулировка смещения в электронных цепях

Применение в устройствах:

  • Радиоприемники
  • Цифро-аналоговые преобразователи
  • Диапазонные преобразователи
  • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики PDTC114TT,235

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PDTC114

Техническая документация

 PDTC114TT,235.pdf
pdf. 0 kb
  • 7271 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    28 ₽
  • 50
    15.4 ₽
  • 500
    7.8 ₽
  • 5000
    5.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PDTC114TT,235
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PDTC114TT,235 при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTC114TT,235 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTC114TT,235

PDTC114TT,235 Nexperia USA Inc.

  • Тип: Транзистор предсмещения NPN
  • Напряжение стакана: 50В
  • Оболочка: TO236AB

Основные параметры:

  • ICBO: ≤1μA (max)
  • VCEO: 50В
  • ICM: ≤10mA (max)
  • hFE (VCE=10V, IC=10mA): 100-300

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к износу и перегрузкам
  • Простота использования и монтажа

Минусы:

  • Высокие требования к теплоотводу
  • Высокая цена по сравнению с менее сложными вариантами

Общее назначение:

  • Использование в качестве предсмещения для других транзисторов и каскадов
  • Компенсация температурных изменений
  • Регулировка смещения в электронных цепях

Применение в устройствах:

  • Радиоприемники
  • Цифро-аналоговые преобразователи
  • Диапазонные преобразователи
  • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики PDTC114TT,235

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PDTC114

Техническая документация

 PDTC114TT,235.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTA124EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    45Кешбэк 6 баллов
    NSVMMUN2132LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    31.6Кешбэк 4 балла
    MMUN2113LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    30Кешбэк 4 балла
    SMUN2211T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    35Кешбэк 5 баллов
    DTA113EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    33.5Кешбэк 5 баллов
    DTC144TT1Транзистор
    5.7Кешбэк 1 балл
    SMUN5115T1GТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SC70
    35Кешбэк 5 баллов
    MUN5237T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    30Кешбэк 4 балла
    DTA144WET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    30Кешбэк 4 балла
    DTA115TET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    28Кешбэк 4 балла
    MMUN2240LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    28Кешбэк 4 балла
    MUN2214T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
    37Кешбэк 5 баллов
    SMUN5212T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    33.5Кешбэк 5 баллов
    MMUN2236LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    30Кешбэк 4 балла
    MMUN2111LT3GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    26Кешбэк 3 балла
    NSBC114YF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    56Кешбэк 8 баллов
    DTC144EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
    30Кешбэк 4 балла
    DTC113EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    45Кешбэк 6 баллов
    SMUN2232T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    30Кешбэк 4 балла
    MUN2136T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
    35Кешбэк 5 баллов
    MUN5212T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    30Кешбэк 4 балла
    DTC143ZM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    45Кешбэк 6 баллов
    NSVMMUN2133LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
    31.6Кешбэк 4 балла
    DTA124EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    30Кешбэк 4 балла
    DTA123EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    30Кешбэк 4 балла
    SMUN5111T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMMUN2135LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    31.6Кешбэк 4 балла
    MUN2232T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    26Кешбэк 3 балла
    DTA143EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    39Кешбэк 5 баллов
    MUN5213T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    28Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП