PDTC115TMB,315

PDTC115TMB, 315 Nexperia USA Inc.

• Тип: Транзистор NPN с предсмещением
• Мощность: 250 мВт
• Объем: 3DFN (3D Flip Chip)

Основные параметры:

• V_CEO: 55 В
• I_C (максимальный): 750 мА
• h_FE (минимальный): 40

Плюсы:

• Высокая мощность
• Низкое напряжение разрыва
• Компактный размер (3DFN)
• Стабильное поведение при предсмещении

Минусы:

• Высокие цены по сравнению с аналогичными транзисторами меньшей мощности
• Необходимо соблюдение специальных условий для предсмещения

Общее назначение:

• Использование в схемах усиления
• Работа в цифровых и аналоговых устройствах
• Применение в системах управления нагрузкой

В каких устройствах применяется:

• Системы звукового воспроизведения
• Игровые консоли
• Мобильные устройства
• Автомобильные системы