PDTC123TM,315

PDTC123TM,315 Nexperia Транзистор

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение блокировки V_BR(UDSM) = 1200 В
• Максимальная токовая способность I_TO = 15 А
• Максимальный тепловой сопротивление R_θJ-A = 4.6°C/W
• Тип: Диодно-транзисторный модуль (Diode-Transistor-Module)
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к импульсным перенапряжениям
• Малый размер и легкость интеграции в схемы
• Удобство использования в различных условиях эксплуатации
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
• Объемный размер по сравнению с отдельными компонентами
• Общее назначение:
• Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
• Управление током в высоковольтных системах
• Переключение высоких токов
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильной электронике
• Промышленном оборудовании
• Энергетических системах
• Мощных преобразовательных цепях
• Защитных схем