Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTC123YMB,315

PDTC123YMB,315

PDTC123YMB,315
;
PDTC123YMB,315

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTC123YMB,315
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3Все характеристики

Минимальная цена PDTC123YMB,315 при покупке от 1 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTC123YMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTC123YMB,315

PDTC123YMB, 315 Nexperia USA Inc. Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение на разделяющую щель (VCEO): 50В
    • Тип каскада: Предсмещенный
    • Форм-фактор: DFN1006B-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря предсмещенной конструкции
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер корпуса для эффективного теплоотвода
    • Низкий уровень шумов и помех
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными NPN-транзисторами
    • Ограниченная область применения из-за специфичности конструкции
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в цифровых и аналоговых цепях
    • Регулирование напряжений
    • Переключение высоких напряжений и токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания и регулирования напряжений
    • Цифровые и аналоговые электронные устройства
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики PDTC123YMB,315

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    230 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTC123

Техническая документация

PDTC123YMB,315.pdf
pdf. 0 kb
  • 6589 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    54 ₽
  • 50
    23.4 ₽
  • 10000
    9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PDTC123YMB,315
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3Все характеристики

Минимальная цена PDTC123YMB,315 при покупке от 1 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTC123YMB,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PDTC123YMB,315

PDTC123YMB, 315 Nexperia USA Inc. Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение на разделяющую щель (VCEO): 50В
    • Тип каскада: Предсмещенный
    • Форм-фактор: DFN1006B-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря предсмещенной конструкции
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер корпуса для эффективного теплоотвода
    • Низкий уровень шумов и помех
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными NPN-транзисторами
    • Ограниченная область применения из-за специфичности конструкции
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в цифровых и аналоговых цепях
    • Регулирование напряжений
    • Переключение высоких напряжений и токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания и регулирования напряжений
    • Цифровые и аналоговые электронные устройства
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики PDTC123YMB,315

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    230 MHz
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    DFN1006B-3
  • Base Product Number
    PDTC123

Техническая документация

PDTC123YMB,315.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории