Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PEMD12,315

PEMD12,315

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PEMD12,315
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD12,315 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD12,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PEMD12,315

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD12
Техническая документация
PEMD12,315.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PEMD12,315
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMD12,315 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMD12,315 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PEMD12,315

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMD12
Техническая документация
PEMD12,315.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории