Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
PEMH20,115
  • В избранное
  • В сравнение
PEMH20,115

PEMH20,115

PEMH20,115
;
PEMH20,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PEMH20,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMH20,115 при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMH20,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMH20,115

PEMH20,115 Nexperia USA Inc.

  • Тип транзистора: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
  • Основные параметры:
    • Напряжение на разрыв (VCEO): 50В
    • Потребляемая мощность (PD): 20Вт
    • Размеры пакета: SOT666
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за предбиаса
    • Требует дополнительного усилителя при использовании в предбиасе
  • Общее назначение: Используется для различных приложений, где требуется высокая мощность, такие как источники питания, преобразователи энергии и системные блоки.
  • Применяется в:
    • Источниках питания
    • Преобразователях энергии
    • Системных блоках компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики PEMH20,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 20mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMH20

Техническая документация

 PEMH20,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 4000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    109 ₽
  • 50
    49 ₽
  • 4000
    23 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PEMH20,115
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666Все характеристики

Минимальная цена PEMH20,115 при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PEMH20,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PEMH20,115

PEMH20,115 Nexperia USA Inc.

  • Тип транзистора: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
  • Основные параметры:
    • Напряжение на разрыв (VCEO): 50В
    • Потребляемая мощность (PD): 20Вт
    • Размеры пакета: SOT666
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за предбиаса
    • Требует дополнительного усилителя при использовании в предбиасе
  • Общее назначение: Используется для различных приложений, где требуется высокая мощность, такие как источники питания, преобразователи энергии и системные блоки.
  • Применяется в:
    • Источниках питания
    • Преобразователях энергии
    • Системных блоках компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики PEMH20,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 20mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PEMH20

Техническая документация

 PEMH20,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DCX124EU-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBA114EDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    96Кешбэк 14 баллов
    PUMB20,115Транзистор: NOW NEXPERIA PUMB20 - SMALL SIGN
    5.6Кешбэк 1 балл
    PUMF11,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    13Кешбэк 1 балл
    SMUN5112DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    MUN5116DW1T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    DCX114YU-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH18,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    NSBA114YDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла
    MUN5131DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    48Кешбэк 7 баллов
    NSBA123TDP6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBA115TDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    PBLS6001D,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    85Кешбэк 12 баллов
    NSVBA114EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
    72Кешбэк 10 баллов
    NSBC124XPDXV6T1G
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBA143TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    29.6Кешбэк 4 балла
    NSBC114TDXV6T5TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    PBLS6021D,115Транзистор
    72Кешбэк 10 баллов
    MUN5114DW1T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBA124EDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC123EPDXV6T1G
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBA114TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBC124XDXV6T1TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    PUMD19,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    9Кешбэк 1 балл
    PUMH1,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    37Кешбэк 5 баллов
    NSBC123JPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC143TPDXV6T1Транзистор
    18.5Кешбэк 2 балла
    PEMD17,115Транзистор
    9.3Кешбэк 1 балл
    NSBC114TPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП