Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
PHB27NQ10T,118
  • В избранное
  • В сравнение
PHB27NQ10T,118

PHB27NQ10T,118

PHB27NQ10T,118
;
PHB27NQ10T,118

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PHB27NQ10T,118
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 28A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена PHB27NQ10T,118 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PHB27NQ10T,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PHB27NQ10T,118

PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 100В
  • Размер тока: 28А
  • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:

    • Высокая надежность благодаря качественной сборке и проверенным технологиям производства.
  • Высокая скорость переключения, что позволяет эффективно использовать при работе с высокочастотными системами.
  • Малый размер и легкость монтажа благодаря форм-фактору D2PAK.
  • Минусы:

    • Высокие потери при работе при больших токах, что может привести к увеличению тепловыделения.
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения, чтобы избежать перегрева.
  • Общее назначение: PHB27NQ10T,118 используется для различных приложений, требующих высокой мощности и точности управления током. Это может включать:

    • Приводы двигателей
  • Питание электронных устройств
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Применяется в: PHB27NQ10T,118 может быть использован в различных устройствах, где требуется эффективное управление током при номинальном напряжении до 100В и максимальных токах до 28А.

    Выбрано: Показать

    Характеристики PHB27NQ10T,118

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      100 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      28A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      50mOhm @ 14A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      4V @ 1mA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      30 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      1240 pF @ 25 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      107W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      D2PAK
    • Корпус
      TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Base Product Number
      PHB27NQ10

    Техническая документация

     PHB27NQ10T,118.pdf
    pdf. 0 kb
    • 2544 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      291 ₽
    • 10
      234 ₽
    • 100
      160 ₽
    • 1600
      106 ₽
    • 4000
      102 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Nexperia USA Inc.
    • Артикул:
      PHB27NQ10T,118
    • Описание:
      MOSFET N-CH 100V 28A D2PAKВсе характеристики

    Минимальная цена PHB27NQ10T,118 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PHB27NQ10T,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание PHB27NQ10T,118

    PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

    • Основные параметры:
      • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 100В
  • Размер тока: 28А
  • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:

    • Высокая надежность благодаря качественной сборке и проверенным технологиям производства.
  • Высокая скорость переключения, что позволяет эффективно использовать при работе с высокочастотными системами.
  • Малый размер и легкость монтажа благодаря форм-фактору D2PAK.
  • Минусы:

    • Высокие потери при работе при больших токах, что может привести к увеличению тепловыделения.
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения, чтобы избежать перегрева.
  • Общее назначение: PHB27NQ10T,118 используется для различных приложений, требующих высокой мощности и точности управления током. Это может включать:

    • Приводы двигателей
  • Питание электронных устройств
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Применяется в: PHB27NQ10T,118 может быть использован в различных устройствах, где требуется эффективное управление током при номинальном напряжении до 100В и максимальных токах до 28А.

    Выбрано: Показать

    Характеристики PHB27NQ10T,118

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      100 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      28A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      50mOhm @ 14A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      4V @ 1mA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      30 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      1240 pF @ 25 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      107W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      D2PAK
    • Корпус
      TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Base Product Number
      PHB27NQ10

    Техническая документация

     PHB27NQ10T,118.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      FQI10N60CTUMOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
      246Кешбэк 36 баллов
      FDMS2510SDCMOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56
      246Кешбэк 36 баллов
      FQU3P20TUMOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
      246Кешбэк 36 баллов
      FDMS8690MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
      248Кешбэк 37 баллов
      FQI50N06LTUMOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
      248Кешбэк 37 баллов
      HUF75831SK8TMOSFET N-CH 150V 3A 8SOIC
      248Кешбэк 37 баллов
      HUFA75343G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
      248Кешбэк 37 баллов
      FDMS2508SDCMOSFET N-CH 25V 34A/49A DLCOOL56
      250Кешбэк 37 баллов
      HUFA75842P3MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
      250Кешбэк 37 баллов
      HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
      250Кешбэк 37 баллов
      HUFA75344S3MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
      254Кешбэк 38 баллов
      FDD2570MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
      256Кешбэк 38 баллов
      FDPF7N50UMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
      258Кешбэк 38 баллов
      FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
      258Кешбэк 38 баллов
      FDW258PMOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
      258Кешбэк 38 баллов
      HUFA76445S3SMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
      259Кешбэк 38 баллов
      FQB25N33TMMOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
      261Кешбэк 39 баллов
      FDMS0308CSMOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN
      261Кешбэк 39 баллов
      FQB8N60CFTMMOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
      261Кешбэк 39 баллов
      FCU850N80ZMOSFET N-CH 800V 6A IPAK
      263Кешбэк 39 баллов
      FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
      267Кешбэк 40 баллов
      FDP13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
      267Кешбэк 40 баллов
      FDP120AN15A0MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
      267Кешбэк 40 баллов
      FQAF17P10MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
      267Кешбэк 40 баллов
      HUFA75842S3SMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
      267Кешбэк 40 баллов
      FQPF9N50CMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
      269Кешбэк 40 баллов
      FDP5690MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
      269Кешбэк 40 баллов
      FDW264PMOSFET P-CH 20V 9.7A 8TSSOP
      269Кешбэк 40 баллов
      FCI11N60
      272Кешбэк 40 баллов
      HUFA76437S3STMOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
      272Кешбэк 40 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Триодные тиристоры - Модули
      Высокочастотные диоды
      Принадлежности
      Полевые транзисторы - Модули
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Полевые транзисторы - Сборки
      Транзисторы - Специального назначения
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Модули драйверов питания
      Диоды - ВЧ
      Тиристоры - SCR
      Диоды выпрямительные - Модули
      Диодные мосты - Модули
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Диоды - мостовые выпрямители
      Тиристоры - SCR - модули
      Транзисторы - Модули
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Диоды силовые
      Симисторы - Модули
      Симисторы
      Диодные мосты
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Варикапы и Варакторы
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Драйверы питания - Модули
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Тиристоры - TRIACs
      Диоды - выпрямители - массивы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Биполярные транзисторы
      Триодные тиристоры - Одиночные
      IGBT транзисторы
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Транзисторы - IGBT - модули
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП