PHD97NQ03LT,118

PHD97NQ03LT, 118 Nexperia USA Inc.

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый транзистор
  • Стрелочная мощность: 118 В
  • Разрядная способность: 30 мА
  • Температурный диапазон: -55°C до +125°C
• Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Малый размер и легкость интеграции
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
  • Требует специального оборудования для монтажа
• Общее назначение: Защита электронных устройств от перенапряжений и скачков напряжения
• Применение:
  • Автомобильная электроника
  • Мобильные устройства
  • Инверторы и преобразователи
  • Системы управления двигателем