PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT — это транзистор из семейства MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Направлен он на применение в различных электронных устройствах.

• Основные параметры:
• Рейтинг напряжения V_GS(th): 4 В
• Рейтинг тока I_D(on): 2 А
• Рейтинг мощности P_D: 3 Вт
• Минимальное сопротивление R_DS(on): 0,037 Ом при V_GS = 10 В

• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Низкое сопротивление в состоянии conduction
• Долгий срок службы
• Устойчивость к перегреву

• Минусы:
• Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
• Небольшой запас по надежности при работе с высокими напряжениями

Общее назначение: PHKD6N02LT используется для регулирования тока в электрических цепях, а также для защиты электронных устройств от повреждений при работе с переменными нагрузками и напряжениями.

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника (системы управления двигателем, зарядные устройства)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Электронные устройства с переменной нагрузкой
• Системы питания и управления энергоресурсами