Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PJC7409_R1_00001
  • В избранное
  • В сравнение
PJC7409_R1_00001

PJC7409_R1_00001

PJC7409_R1_00001
;
PJC7409_R1_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJC7409_R1_00001
  • Описание:
    20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJC7409_R1_00001 при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJC7409_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJC7409_R1_00001

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка: PJC7409_R1_00001
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Описание: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    Основные параметры:

    • Номинальное напряжение: 20В
    • Тип: P-канальный усилитель (P-CHANNEL)
    • Режим работы: Улучшенный режим (ENHANCEMENT MODE)
    • Ток пропускания: до 35А (при Ugs = 10В)
    • Угол отключения: до 10ns
    • Коэффициент сопротивления: до 0.15mΩ (при Ugs = 10В)

    Плюсы:

    • Высокая скорость отключения (меньше 10ns)
    • Низкое сопротивление при номинальном напряжении (до 0.15mΩ)
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции в устройства

    Минусы:

    • Высокие требования к питанию (необходимо поддерживать минимальное напряжение для надежной работы)
    • Ограниченная длина времени при длительных нагрузках (ограничение по времени)

    Общее назначение:

    • Использование в электронных устройствах, требующих регулирования напряжения или управления током
    • Применение в системах питания, где требуется высокая скорость реакции
    • Интеграция в устройства, требующие минимизации энергопотерь

    В каких устройствах применяется:

    • Автомобильные системы
    • Системы питания для бытовой техники
    • Мобильные устройства и зарядные адаптеры
    • Инверторы и преобразователи
    • Электронные контроллеры и драйверы
Выбрано: Показать

Характеристики PJC7409_R1_00001

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    38 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323

Техническая документация

 PJC7409_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 4435 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    63 ₽
  • 100
    24 ₽
  • 1000
    15.8 ₽
  • 6000
    12 ₽
  • 15000
    10.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJC7409_R1_00001
  • Описание:
    20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJC7409_R1_00001 при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJC7409_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJC7409_R1_00001

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка: PJC7409_R1_00001
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Описание: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    Основные параметры:

    • Номинальное напряжение: 20В
    • Тип: P-канальный усилитель (P-CHANNEL)
    • Режим работы: Улучшенный режим (ENHANCEMENT MODE)
    • Ток пропускания: до 35А (при Ugs = 10В)
    • Угол отключения: до 10ns
    • Коэффициент сопротивления: до 0.15mΩ (при Ugs = 10В)

    Плюсы:

    • Высокая скорость отключения (меньше 10ns)
    • Низкое сопротивление при номинальном напряжении (до 0.15mΩ)
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции в устройства

    Минусы:

    • Высокие требования к питанию (необходимо поддерживать минимальное напряжение для надежной работы)
    • Ограниченная длина времени при длительных нагрузках (ограничение по времени)

    Общее назначение:

    • Использование в электронных устройствах, требующих регулирования напряжения или управления током
    • Применение в системах питания, где требуется высокая скорость реакции
    • Интеграция в устройства, требующие минимизации энергопотерь

    В каких устройствах применяется:

    • Автомобильные системы
    • Системы питания для бытовой техники
    • Мобильные устройства и зарядные адаптеры
    • Инверторы и преобразователи
    • Электронные контроллеры и драйверы
Выбрано: Показать

Характеристики PJC7409_R1_00001

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    38 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323

Техническая документация

 PJC7409_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJQ5443_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    207Кешбэк 31 балл
    PJS6461-AU_S1_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    204Кешбэк 30 баллов
    PJD15P06A-AU_L2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4443P_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    195Кешбэк 29 баллов
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJA3440-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    PJA3402-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    106Кешбэк 15 баллов
    PJA3401_R1_00001SOT-23, MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ2460_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJQ4441P-AU_R2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    202Кешбэк 30 баллов
    PJA3428_R1_00001SOT-23, MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    PJQ4468AP_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    233Кешбэк 34 балла
    PJW5P06A-AU_R2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    187Кешбэк 28 баллов
    PJA3404-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    PJQ4408P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    141Кешбэк 21 балл
    PJQ4408P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4410P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    124Кешбэк 18 баллов
    PJD50P04_L2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    220Кешбэк 33 балла
    PJC7409_R1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    63Кешбэк 9 баллов
    PJQ4460AP-AU_R2_000A160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    137Кешбэк 20 баллов
    PJE8438_R1_0000150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ4402P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    196Кешбэк 29 баллов
    PJD50P04-AU_L2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    293Кешбэк 43 балла
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    72Кешбэк 10 баллов
    PJQ5465A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    180Кешбэк 27 баллов
    PJA3439-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    111Кешбэк 16 баллов
    PJW7N06A_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    148Кешбэк 22 балла
    PJS6415_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    100Кешбэк 15 баллов
    PJQ5423_R2_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    206Кешбэк 30 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП