Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
PJD50N04_L2_00001
  • В избранное
  • В сравнение
PJD50N04_L2_00001

PJD50N04_L2_00001

PJD50N04_L2_00001
;
PJD50N04_L2_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJD50N04_L2_00001
  • Описание:
    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJD50N04_L2_00001 при покупке от 1 шт 176.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJD50N04_L2_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJD50N04_L2_00001

Разрешенная маркировка:

  • PJD50N04_L2_00001 — это полупроводниковый транзистор.

  • Производитель: Panjit International Inc.

  • Описание: 40В N-канальный усилительный режим транзистор.

Основные параметры:

  • VCEO — номинальное напряжение между коллектором и эмиттером в отключенном состоянии: 40В.

  • ID — номинальная токовая характеристика: до 30А.

  • RDS(on) — сопротивление на проводимость при номинальных условиях: 60 мО.

  • VGS(th) — пороговое напряжение: 4В.

Плюсы:

  • Низкое сопротивление на проводимость (RDS(on)) позволяет минимизировать потери энергии.

  • Высокая скорость переключения, что обеспечивает более эффективное использование при работе на высокой частоте.

  • Устойчивость к обратному напряжению благодаря усилительному режиму работы.

Минусы:

  • Относительно высокая емкость (Ciss) может влиять на работу при высоких частотах.

  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках из-за тепловых потерь.

Общее назначение:

  • Используется для управления током в электрических цепях.

  • Подходит для применения в системах управления двигателей, приводов и преобразователей.

  • Используется в источниках питания для регулирования напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Приводы электродвигателей.

  • Источники питания различного назначения.

  • Автомобильные системы управления двигателем.

  • Преобразователи напряжения.

Выбрано: Показать

Характеристики PJD50N04_L2_00001

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.6A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1258 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta), 54W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

 PJD50N04_L2_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 1835 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    176 ₽
  • 100
    71 ₽
  • 1000
    50 ₽
  • 6000
    39 ₽
  • 15000
    36 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJD50N04_L2_00001
  • Описание:
    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJD50N04_L2_00001 при покупке от 1 шт 176.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJD50N04_L2_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJD50N04_L2_00001

Разрешенная маркировка:

  • PJD50N04_L2_00001 — это полупроводниковый транзистор.

  • Производитель: Panjit International Inc.

  • Описание: 40В N-канальный усилительный режим транзистор.

Основные параметры:

  • VCEO — номинальное напряжение между коллектором и эмиттером в отключенном состоянии: 40В.

  • ID — номинальная токовая характеристика: до 30А.

  • RDS(on) — сопротивление на проводимость при номинальных условиях: 60 мО.

  • VGS(th) — пороговое напряжение: 4В.

Плюсы:

  • Низкое сопротивление на проводимость (RDS(on)) позволяет минимизировать потери энергии.

  • Высокая скорость переключения, что обеспечивает более эффективное использование при работе на высокой частоте.

  • Устойчивость к обратному напряжению благодаря усилительному режиму работы.

Минусы:

  • Относительно высокая емкость (Ciss) может влиять на работу при высоких частотах.

  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках из-за тепловых потерь.

Общее назначение:

  • Используется для управления током в электрических цепях.

  • Подходит для применения в системах управления двигателей, приводов и преобразователей.

  • Используется в источниках питания для регулирования напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Приводы электродвигателей.

  • Источники питания различного назначения.

  • Автомобильные системы управления двигателем.

  • Преобразователи напряжения.

Выбрано: Показать

Характеристики PJD50N04_L2_00001

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.6A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1258 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta), 54W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

 PJD50N04_L2_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    R6520KNZ4C13MOSFET N-CH 650V 20A TO247
    1 589Кешбэк 238 баллов
    SCT3060ARC14SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
    4 035Кешбэк 605 баллов
    RQ6A045ZPTRMOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
    230Кешбэк 34 балла
    RHK005N03FRAT146MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    112Кешбэк 16 баллов
    R6530KNZ4C13650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
    741Кешбэк 111 баллов
    R6024KNXMOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
    594Кешбэк 89 баллов
    R6030KNXMOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
    898Кешбэк 134 балла
    R6024KNZ4C13MOSFET N-CH 600V 24A TO247
    790Кешбэк 118 баллов
    RD3L08BGNTLMOSFET N-CH 60V 80A TO252
    611Кешбэк 91 балл
    RJU002N06FRAT106MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
    90Кешбэк 13 баллов
    RTR020N05HZGTLMOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
    138Кешбэк 20 баллов
    RS3L110ATTB1PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
    596Кешбэк 89 баллов
    SCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
    11 267Кешбэк 1 690 баллов
    R6020KNXТранзистор: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
    706Кешбэк 105 баллов
    RJ1U330AAFRGTLMOSFET N-CH 250V 33A LPTS
    937Кешбэк 140 баллов
    SCT3105KLHRC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
    2 526Кешбэк 378 баллов
    SCT3022KLGC11SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
    9 706Кешбэк 1 455 баллов
    R6020JNZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
    935Кешбэк 140 баллов
    SCT3105KLGC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
    3 593Кешбэк 538 баллов
    R6009KNXMOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
    478Кешбэк 71 балл
    SCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N
    2 866Кешбэк 429 баллов
    SCT2160KEGC111200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 676Кешбэк 401 балл
    SCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
    3 070Кешбэк 460 баллов
    RSQ015N06HZGTRMOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
    166Кешбэк 24 балла
    BSS84T116Транзистор: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
    56Кешбэк 8 баллов
    R6030ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 30A TO247
    1 847Кешбэк 277 баллов
    SCT2080KEHRC11SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
    5 251Кешбэк 787 баллов
    RQ7G080ATTCRPCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
    224Кешбэк 33 балла
    RQ6E050AJTCRMOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
    183Кешбэк 27 баллов
    RSJ250P10FRATLMOSFET P-CH 100V 25A LPTS
    420Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП