Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PJQ2409_R1_00001
  • В избранное
  • В сравнение
PJQ2409_R1_00001

PJQ2409_R1_00001

PJQ2409_R1_00001
;
PJQ2409_R1_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJQ2409_R1_00001
  • Описание:
    DFN2020B-6L, MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена PJQ2409_R1_00001 при покупке от 1 шт 105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJQ2409_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJQ2409_R1_00001

PJQ2409_R1_00001 Panjit International Inc. DFN2020B-6L, MOSFET

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (Массивно-слойной полупроводниковый транзистор)
    • Пакет: DFN2020B-6L (Diced Flip-Chip No-Lead)
    • Рейтинг напряжения стабильности VGS(th): 2.5 В
    • Номинальный ток ID(on): 24 А
    • Коэффициент тока транзистора RDS(on): 3.5 мОм
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение RDS(on)
    • Малый размер пакета
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимость использования качественного термопрокладки для обеспечения эффективного отвода тепла
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных приложениях
    • Применение в системах управления питанием
    • Работа в источниках питания
    • Использование в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Системы управления мощностью
    • Источники питания для электроники
Выбрано: Показать

Характеристики PJQ2409_R1_00001

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    870 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN2020B-6
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad

Техническая документация

 PJQ2409_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 2885 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    105 ₽
  • 100
    41 ₽
  • 1000
    28 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJQ2409_R1_00001
  • Описание:
    DFN2020B-6L, MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена PJQ2409_R1_00001 при покупке от 1 шт 105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJQ2409_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJQ2409_R1_00001

PJQ2409_R1_00001 Panjit International Inc. DFN2020B-6L, MOSFET

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (Массивно-слойной полупроводниковый транзистор)
    • Пакет: DFN2020B-6L (Diced Flip-Chip No-Lead)
    • Рейтинг напряжения стабильности VGS(th): 2.5 В
    • Номинальный ток ID(on): 24 А
    • Коэффициент тока транзистора RDS(on): 3.5 мОм
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение RDS(on)
    • Малый размер пакета
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимость использования качественного термопрокладки для обеспечения эффективного отвода тепла
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных приложениях
    • Применение в системах управления питанием
    • Работа в источниках питания
    • Использование в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Системы управления мощностью
    • Источники питания для электроники
Выбрано: Показать

Характеристики PJQ2409_R1_00001

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    870 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN2020B-6
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad

Техническая документация

 PJQ2409_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJQ4441P_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    193Кешбэк 28 баллов
    PJA3405_R1_00001SOT-23, MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    2N7002KW_R1_00001Транзистор: SOT-323, MOSFET
    29.5Кешбэк 4 балла
    PJS6461-AU_S1_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    203Кешбэк 30 баллов
    PJQ4443P_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    193Кешбэк 28 баллов
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    125Кешбэк 18 баллов
    PJA3440-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    PJA3402-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    PJA3401_R1_00001SOT-23, MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ2460_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    125Кешбэк 18 баллов
    PJQ4441P-AU_R2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    201Кешбэк 30 баллов
    PJA3428_R1_00001SOT-23, MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    PJQ4468AP_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    232Кешбэк 34 балла
    PJA3404-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    PJQ4408P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    140Кешбэк 21 балл
    PJQ4408P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    151Кешбэк 22 балла
    PJQ4410P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    123Кешбэк 18 баллов
    PJD50P04_L2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    219Кешбэк 32 балла
    PJC7409_R1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    63Кешбэк 9 баллов
    PJQ4460AP-AU_R2_000A160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    136Кешбэк 20 баллов
    PJE8438_R1_0000150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ4402P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    195Кешбэк 29 баллов
    PJD50P04-AU_L2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    291Кешбэк 43 балла
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    72Кешбэк 10 баллов
    PJA3439-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    66Кешбэк 9 баллов
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    110Кешбэк 16 баллов
    PJW7N06A_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    147Кешбэк 22 балла
    PJS6415_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    99Кешбэк 14 баллов
    PJQ2409_R1_00001DFN2020B-6L, MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    PJQ2410_R1_00001DFN2020B-6L, MOSFET
    116Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП