Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PJQ4441P-AU_R2_000A1
  • В избранное
  • В сравнение
PJQ4441P-AU_R2_000A1

PJQ4441P-AU_R2_000A1

PJQ4441P-AU_R2_000A1
;
PJQ4441P-AU_R2_000A1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJQ4441P-AU_R2_000A1
  • Описание:
    40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJQ4441P-AU_R2_000A1 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJQ4441P-AU_R2_000A1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJQ4441P-AU_R2_000A1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка: PJQ4441P-AU_R2_000A1
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Описание: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    Основные параметры:

    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 40В
    • Тип: P-CHANNEL MOSFET (ENHANCEMENT MODE)
    • Структура: Enhancement Mode
    • Ток дrain (ID(on)): до 4,5А при VDS = 10В
    • Угол переключения: 15ns (trrhm)
    • Минимальная емкость дrain-gate (CGD(min)): 120пФ
    • Минимальная емкость source-gate (CSG(min)): 39пФ

    Плюсы:

    • Высокая скорость переключения (низкий угол переключения)
    • Низкий ток утечки (в режиме ожидания)
    • Хорошая стабильность в различных условиях работы
    • Широкий диапазон рабочего напряжения (до 40В)

    Минусы:

    • Необходимо дополнительное питание для блока питания (если используется в режиме enhancement mode)
    • Высокие требования к проектированию системы управления

    Общее назначение:

    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в электронных устройствах, требующих точного управления током
    • Встроенный блок питания для мобильных устройств

    В каких устройствах применяется:

    • Системы питания
    • Автомобильные электронные системы
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики PJQ4441P-AU_R2_000A1

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Ta), 44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2030 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta), 59.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • 5000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    202 ₽
  • 10
    126 ₽
  • 500
    64 ₽
  • 2000
    53 ₽
  • 10000
    44 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJQ4441P-AU_R2_000A1
  • Описание:
    40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJQ4441P-AU_R2_000A1 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJQ4441P-AU_R2_000A1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJQ4441P-AU_R2_000A1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка: PJQ4441P-AU_R2_000A1
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Описание: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    Основные параметры:

    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 40В
    • Тип: P-CHANNEL MOSFET (ENHANCEMENT MODE)
    • Структура: Enhancement Mode
    • Ток дrain (ID(on)): до 4,5А при VDS = 10В
    • Угол переключения: 15ns (trrhm)
    • Минимальная емкость дrain-gate (CGD(min)): 120пФ
    • Минимальная емкость source-gate (CSG(min)): 39пФ

    Плюсы:

    • Высокая скорость переключения (низкий угол переключения)
    • Низкий ток утечки (в режиме ожидания)
    • Хорошая стабильность в различных условиях работы
    • Широкий диапазон рабочего напряжения (до 40В)

    Минусы:

    • Необходимо дополнительное питание для блока питания (если используется в режиме enhancement mode)
    • Высокие требования к проектированию системы управления

    Общее назначение:

    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в электронных устройствах, требующих точного управления током
    • Встроенный блок питания для мобильных устройств

    В каких устройствах применяется:

    • Системы питания
    • Автомобильные электронные системы
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики PJQ4441P-AU_R2_000A1

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Ta), 44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2030 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta), 59.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RQ5E040RPTLMOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
    156Кешбэк 23 балла
    RS1E220ATTB1MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
    608Кешбэк 91 балл
    SCT3160KW7TLSICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
    2 014Кешбэк 302 балла
    RXH100N03TB14V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
    283Кешбэк 42 балла
    RQ6E060ATTCRMOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
    196Кешбэк 29 баллов
    RQ3G110ATTBPCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
    400Кешбэк 60 баллов
    RSJ301N10TLNCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
    580Кешбэк 87 баллов
    SCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
    2 223Кешбэк 333 балла
    RQ5L020SNTLMOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
    141Кешбэк 21 балл
    RUQ050N02HZGTRMOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
    195Кешбэк 29 баллов
    RQ5E025SNTLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    126Кешбэк 18 баллов
    RQ6A050ZPTRMOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
    207Кешбэк 31 балл
    RQ5E050ATTCLMOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
    170Кешбэк 25 баллов
    R6015ENXC7G600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
    734Кешбэк 110 баллов
    RUL035N02FRATRMOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
    152Кешбэк 22 балла
    RQ6C065BCTCRMOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
    148Кешбэк 22 балла
    RRL035P03FRATRMOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
    119Кешбэк 17 баллов
    RD3L03BATTL1PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
    378Кешбэк 56 баллов
    RD3P050SNFRATLMOSFET N-CH 100V 5A TO252
    321Кешбэк 48 баллов
    RTF025N03FRATLMOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
    100Кешбэк 15 баллов
    RQ3L090GNTBMOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
    293Кешбэк 43 балла
    RQ5L035GNTCLMOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
    172Кешбэк 25 баллов
    R8001CND3FRATLТранзистор: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
    487Кешбэк 73 балла
    RQ5E065AJTCLMOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
    122Кешбэк 18 баллов
    RQ7E055ATTCRMOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
    198Кешбэк 29 баллов
    RSR025N05HZGTLMOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
    143Кешбэк 21 балл
    RQ5E040TNTLMOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
    169Кешбэк 25 баллов
    RS3E130ATTB1PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
    417Кешбэк 62 балла
    RRR030P03HZGTLТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
    137Кешбэк 20 баллов
    R6004PND3FRATLMOSFET N-CH 600V 4A TO252
    641Кешбэк 96 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП