Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PJQ4460AP-AU_R2_000A1
  • В избранное
  • В сравнение
PJQ4460AP-AU_R2_000A1

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

PJQ4460AP-AU_R2_000A1
;
PJQ4460AP-AU_R2_000A1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJQ4460AP-AU_R2_000A1
  • Описание:
    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJQ4460AP-AU_R2_000A1 при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJQ4460AP-AU_R2_000A1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Разрешенная маркировка:

  • PJQ4460AP-AU_R2_000A1
  • Производитель: Panjit International Inc.
  • Описание: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 60В
  • Тип: N-канальный усилитель
  • Режим работы: Улучшенный режим
  • Максимальная частота: 300кГц
  • Ток: до 5А

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря улучшенному режиму работы.
  • Эффективность при работе с высокими частотами.
  • Низкий ток стока в отключённом состоянии, что снижает потери энергии.
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструктивным особенностям.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET моделями.
  • Сложность в выборе оптимальных условий работы из-за множества параметров.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания для управления нагрузкой.
  • Применение в схемах управления электрическими моторами для управления их скоростью.
  • Использование в системах управления нагрузками в различных электронных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства с беспроводной связью (модемы, Wi-Fi адаптеры).
  • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств.
  • Автомобильные системы питания.
  • Промышленные контроллеры и системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики PJQ4460AP-AU_R2_000A1

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.7A (Ta), 11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    509 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

 PJQ4460AP-AU_R2_000A1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4375 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    137 ₽
  • 100
    55 ₽
  • 1000
    37.5 ₽
  • 5000
    25.3 ₽
  • 15000
    22 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    PJQ4460AP-AU_R2_000A1
  • Описание:
    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MВсе характеристики

Минимальная цена PJQ4460AP-AU_R2_000A1 при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PJQ4460AP-AU_R2_000A1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Разрешенная маркировка:

  • PJQ4460AP-AU_R2_000A1
  • Производитель: Panjit International Inc.
  • Описание: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 60В
  • Тип: N-канальный усилитель
  • Режим работы: Улучшенный режим
  • Максимальная частота: 300кГц
  • Ток: до 5А

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря улучшенному режиму работы.
  • Эффективность при работе с высокими частотами.
  • Низкий ток стока в отключённом состоянии, что снижает потери энергии.
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструктивным особенностям.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET моделями.
  • Сложность в выборе оптимальных условий работы из-за множества параметров.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания для управления нагрузкой.
  • Применение в схемах управления электрическими моторами для управления их скоростью.
  • Использование в системах управления нагрузками в различных электронных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства с беспроводной связью (модемы, Wi-Fi адаптеры).
  • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств.
  • Автомобильные системы питания.
  • Промышленные контроллеры и системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики PJQ4460AP-AU_R2_000A1

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.7A (Ta), 11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    509 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

 PJQ4460AP-AU_R2_000A1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RQ5E040RPTLMOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
    156Кешбэк 23 балла
    RS1E220ATTB1MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
    608Кешбэк 91 балл
    SCT3160KW7TLSICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
    2 014Кешбэк 302 балла
    RXH100N03TB14V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
    283Кешбэк 42 балла
    RQ6E060ATTCRMOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
    196Кешбэк 29 баллов
    RQ3G110ATTBPCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
    400Кешбэк 60 баллов
    RSJ301N10TLNCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
    580Кешбэк 87 баллов
    SCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
    2 223Кешбэк 333 балла
    RQ5L020SNTLMOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
    141Кешбэк 21 балл
    RUQ050N02HZGTRMOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
    195Кешбэк 29 баллов
    RQ5E025SNTLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    126Кешбэк 18 баллов
    RQ6A050ZPTRMOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
    207Кешбэк 31 балл
    RQ5E050ATTCLMOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
    170Кешбэк 25 баллов
    R6015ENXC7G600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
    734Кешбэк 110 баллов
    RUL035N02FRATRMOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
    152Кешбэк 22 балла
    RQ6C065BCTCRMOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
    148Кешбэк 22 балла
    RRL035P03FRATRMOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
    119Кешбэк 17 баллов
    RD3L03BATTL1PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
    378Кешбэк 56 баллов
    RD3P050SNFRATLMOSFET N-CH 100V 5A TO252
    321Кешбэк 48 баллов
    RTF025N03FRATLMOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
    100Кешбэк 15 баллов
    RQ3L090GNTBMOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
    293Кешбэк 43 балла
    RQ5L035GNTCLMOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
    172Кешбэк 25 баллов
    R8001CND3FRATLТранзистор: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
    487Кешбэк 73 балла
    RQ5E065AJTCLMOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
    122Кешбэк 18 баллов
    RQ7E055ATTCRMOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
    198Кешбэк 29 баллов
    RSR025N05HZGTLMOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
    143Кешбэк 21 балл
    RQ5E040TNTLMOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
    169Кешбэк 25 баллов
    RS3E130ATTB1PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
    417Кешбэк 62 балла
    RRR030P03HZGTLТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
    137Кешбэк 20 баллов
    R6004PND3FRATLMOSFET N-CH 600V 4A TO252
    641Кешбэк 96 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП