Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
PMCXB900UEZ
  • В избранное
  • В сравнение
PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ
;
PMCXB900UEZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMCXB900UEZ
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFNВсе характеристики

Минимальная цена PMCXB900UEZ при покупке от 1 шт 120.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMCXB900UEZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFN

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Тип полярности: N/P-канальный
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Рейтинг тока: 600mA (N-канальный), 500mA (P-канальный)
    • Пакет: 6DFN (шестифутовый прямоугольный навесной корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
  • Минусы:
    • Сложность проектирования схемы питания при использовании P-канальных MOSFET
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для создания полноценного контура
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока
    • Изоляция логических цепей от источников питания
    • Управление мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание портовых устройств
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие маломощные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PMCXB900UEZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600mA, 500mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    21.3pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    265mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    DFN1010B-6
  • Base Product Number
    PMCXB900

Техническая документация

 PMCXB900UEZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 1541 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    120 ₽
  • 50
    54 ₽
  • 5000
    24.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMCXB900UEZ
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFNВсе характеристики

Минимальная цена PMCXB900UEZ при покупке от 1 шт 120.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMCXB900UEZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFN

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Тип полярности: N/P-канальный
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Рейтинг тока: 600mA (N-канальный), 500mA (P-канальный)
    • Пакет: 6DFN (шестифутовый прямоугольный навесной корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
  • Минусы:
    • Сложность проектирования схемы питания при использовании P-канальных MOSFET
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для создания полноценного контура
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока
    • Изоляция логических цепей от источников питания
    • Управление мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание портовых устройств
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие маломощные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PMCXB900UEZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600mA, 500mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    620mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    21.3pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    265mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    DFN1010B-6
  • Base Product Number
    PMCXB900

Техническая документация

 PMCXB900UEZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTJD4152PT1GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
    78Кешбэк 11 баллов
    SI1926DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
    122Кешбэк 18 баллов
    SI6562CDQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
    161Кешбэк 24 балла
    RJK03P7DPA-00#J5AТранзистор: POWER, N-CHANNEL MOSFET
    311Кешбэк 46 баллов
    RJK03P9DPA-00#J5AТранзистор: POWER, N-CHANNEL MOSFET
    311Кешбэк 46 баллов
    NDS9947Транзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    189Кешбэк 28 баллов
    EM6K33T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    117Кешбэк 17 баллов
    SSM6N56FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
    69Кешбэк 10 баллов
    DMN601DMK-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
    126Кешбэк 18 баллов
    FDME1034CZTТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
    196Кешбэк 29 баллов
    2N7002VC-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
    100Кешбэк 15 баллов
    NTZD3155CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
    80Кешбэк 12 баллов
    FW274-TL-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    96Кешбэк 14 баллов
    FW276-TL-2HТранзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    109Кешбэк 16 баллов
    SI4932DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    274Кешбэк 41 балл
    AON6816Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6
    285Кешбэк 42 балла
    BSS84AKV,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 170MA SOT666
    70Кешбэк 10 баллов
    CSD87353Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    465Кешбэк 69 баллов
    SIA923AEDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
    170Кешбэк 25 баллов
    MTM78E2B0LBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
    205Кешбэк 30 баллов
    NTLUD3191PZTBGТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
    48Кешбэк 7 баллов
    STL8DN6LF3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
    335Кешбэк 50 баллов
    PMGD290XN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    DMP4047SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    NTLJD3119CTBGТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
    230Кешбэк 34 балла
    QS6K1TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    191Кешбэк 28 баллов
    DMN601VK-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
    69Кешбэк 10 баллов
    EM6K31T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    143Кешбэк 21 балл
    FDMA1024NZТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
    202Кешбэк 30 баллов
    DMP6110SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
    170Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП