Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
PMDXB950UPELZ
  • В избранное
  • В сравнение
PMDXB950UPELZ

PMDXB950UPELZ

PMDXB950UPELZ
;
PMDXB950UPELZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMDXB950UPELZ
  • Описание:
    Транзистор: 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSFВсе характеристики

Минимальная цена PMDXB950UPELZ при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMDXB950UPELZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMDXB950UPELZ

PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. Транзистор: 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 20 В
    • Тип: Двойной п-канальный тrench MOSFET
    • Степень интеграции: высокая
    • Материал: Si (silicon)
  • Плюсы:
    • Высокое значение коэффициента передачи (low RDS(on))
    • Низкое сопротивление при ON-состоянии
    • Высокая плотность мощности
    • Долгий срок службы и надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах, требующих управления большими токами
    • Применяется в источниках питания
    • Способствует повышению эффективности и снижению тепловыделения в устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Устройства с высокими требованиями к управлению током
    • Электротехнические приборы
Выбрано: Показать

Характеристики PMDXB950UPELZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    380mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    DFN1010B-6
  • Base Product Number
    PMDXB950

Техническая документация

 PMDXB950UPELZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 27093 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    83 ₽
  • 100
    38.5 ₽
  • 1000
    24 ₽
  • 5000
    18 ₽
  • 15000
    15.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMDXB950UPELZ
  • Описание:
    Транзистор: 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSFВсе характеристики

Минимальная цена PMDXB950UPELZ при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMDXB950UPELZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMDXB950UPELZ

PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. Транзистор: 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 20 В
    • Тип: Двойной п-канальный тrench MOSFET
    • Степень интеграции: высокая
    • Материал: Si (silicon)
  • Плюсы:
    • Высокое значение коэффициента передачи (low RDS(on))
    • Низкое сопротивление при ON-состоянии
    • Высокая плотность мощности
    • Долгий срок службы и надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах, требующих управления большими токами
    • Применяется в источниках питания
    • Способствует повышению эффективности и снижению тепловыделения в устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Устройства с высокими требованиями к управлению током
    • Электротехнические приборы
Выбрано: Показать

Характеристики PMDXB950UPELZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    380mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    DFN1010B-6
  • Base Product Number
    PMDXB950

Техническая документация

 PMDXB950UPELZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMFD5C680NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
    289Кешбэк 43 балла
    EFC3J018NUZTDGТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
    295Кешбэк 44 балла
    NVMFD5C470NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
    319Кешбэк 47 баллов
    NTTFD4D0N04HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
    346Кешбэк 51 балл
    NVMFD5C466NT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    348Кешбэк 52 балла
    NVMFD6H846NLWFT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    350Кешбэк 52 балла
    NTMFD6H846NLT1GТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
    356Кешбэк 53 балла
    NVMFD5C478NLT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    376Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C478NLWFT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    378Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C466NWFT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    382Кешбэк 57 баллов
    NTTFD9D0N06HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    408Кешбэк 61 балл
    NVMFD6H846NLT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    409Кешбэк 61 балл
    NVMFD5C470NWFT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    419Кешбэк 62 балла
    NVMFD5C466NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    422Кешбэк 63 балла
    NVMFD5C470NT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    430Кешбэк 64 балла
    HUFA76407DK8T-F085MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
    459Кешбэк 68 баллов
    EFC4K110NUZTDGТранзистор: NCH 24V 25A WLCSP DUAL
    508Кешбэк 76 баллов
    NVMFD5C462NT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    528Кешбэк 79 баллов
    2SK4085LS-CB11N-CHANNEL MOSFET
    547Кешбэк 82 балла
    NVMFD6H840NLT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    550Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C462NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD6H840NLWFT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C466NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    560Кешбэк 84 балла
    NVMFD5C672NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    569Кешбэк 85 баллов
    NVMFD5C672NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    571Кешбэк 85 баллов
    NVMFD5C668NLT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    585Кешбэк 87 баллов
    NVMFD5C462NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    595Кешбэк 89 баллов
    2SJ653POWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    650Кешбэк 97 баллов
    NVMFD5C668NLWFT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    698Кешбэк 104 балла
    NVMFD5C462NWFT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП