Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PMN25UN,115

PMN25UN,115

PMN25UN,115
;
PMN25UN,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PMN25UN,115 при покупке от 2732 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMN25UN,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMN25UN,115

PMN25UN,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение коллектора (VDS(on)): 20В
    • Номинальный ток дrain (ID(on)): 6А
    • Количество пакетов: 6TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток стока при отключенном мосте
    • Удобство использования в различных электронных схемах
    • Низкое сопротивление на проводимость (RDS(on))
  • Минусы:
    • Требует правильной термической обработки для предотвращения перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительных компонентов
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения в системах управления
    • Переключение высоких напряжений в цифровых устройствах
    • Автоматические системы управления
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили (адаптеры питания)
    • Системы управления промышленного оборудования
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PMN25UN,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    470 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    530mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-74
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Base Product Number
    PMN2

Техническая документация

PMN25UN,115.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 2732 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена PMN25UN,115 при покупке от 2732 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMN25UN,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMN25UN,115

PMN25UN,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение коллектора (VDS(on)): 20В
    • Номинальный ток дrain (ID(on)): 6А
    • Количество пакетов: 6TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток стока при отключенном мосте
    • Удобство использования в различных электронных схемах
    • Низкое сопротивление на проводимость (RDS(on))
  • Минусы:
    • Требует правильной термической обработки для предотвращения перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительных компонентов
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения в системах управления
    • Переключение высоких напряжений в цифровых устройствах
    • Автоматические системы управления
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили (адаптеры питания)
    • Системы управления промышленного оборудования
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики PMN25UN,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    470 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    530mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-74
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Base Product Number
    PMN2

Техническая документация

PMN25UN,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 2732 шт