Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PMN40UPE,115

PMN40UPE,115

PMN40UPE,115
;
PMN40UPE,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PMN40UPE,115 при покупке от 518 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMN40UPE,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMN40UPE,115

PMN40UPE,115 Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

  • Основные параметры:
    • НапряжениеGBT (VGS(TH)): 4.7 V
    • Максимальное напряжение (VDS(MAX)): 20 V
    • Максимальный ток (ID(MAX)): 4.7 A
    • Пакет: 6-TSSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер пакета для экономии места
    • Малый динамический транзисторный сопротивление
    • Скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с шумом при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управления током
    • Регулировка напряжения в системах питания
    • Переключение высоких токов в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронасосы
    • Аккумуляторные системы
    • Устройства с инверторной технологией
Выбрано: Показать

Характеристики PMN40UPE,115

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    43mOhm @ 3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1820 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SC-74, SOT-457

Техническая документация

PMN40UPE,115.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 518 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена PMN40UPE,115 при покупке от 518 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMN40UPE,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMN40UPE,115

PMN40UPE,115 Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

  • Основные параметры:
    • НапряжениеGBT (VGS(TH)): 4.7 V
    • Максимальное напряжение (VDS(MAX)): 20 V
    • Максимальный ток (ID(MAX)): 4.7 A
    • Пакет: 6-TSSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер пакета для экономии места
    • Малый динамический транзисторный сопротивление
    • Скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с шумом при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управления током
    • Регулировка напряжения в системах питания
    • Переключение высоких токов в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронасосы
    • Аккумуляторные системы
    • Устройства с инверторной технологией
Выбрано: Показать

Характеристики PMN40UPE,115

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    43mOhm @ 3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1820 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SC-74, SOT-457

Техническая документация

PMN40UPE,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 518 шт