Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

PMT200EN,135

PMT200EN,135

PMT200EN,135

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Nexperia USA Inc.
Артикул:
PMT200EN,135
Описание:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223Все характеристики

Минимальная цена PMT200EN,135 при покупке от 3122 шт 18.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMT200EN,135 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PMT200EN,135

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475 pF @ 80 V
Рассеивание мощности (Макс)
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SC-73
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
PMT2

В избранное
В сравнение

32000 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 3122 шт

Количество
Цена
3122
18 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Nexperia USA Inc.
Артикул:
PMT200EN,135
Описание:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223Все характеристики

Минимальная цена PMT200EN,135 при покупке от 3122 шт 18.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMT200EN,135 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PMT200EN,135

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475 pF @ 80 V
Рассеивание мощности (Макс)
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SC-73
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
PMT2

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SSM3K15AFS,LF MOSFET N-CH 30V 100MA SSM

40Кешбэк 6 баллов

STF15N95K5 MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP

662Кешбэк 99 баллов

IRF9317TRPBF MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

213Кешбэк 31 балл

FDMS8050ET30 MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

429Кешбэк 64 балла

STB6NK60ZT4 Транзистор: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK

460Кешбэк 69 баллов

NTP65N02RG MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB

89Кешбэк 13 баллов

NTD4810NHT4G MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK

78Кешбэк 11 баллов

STP21N90K5 MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3

1 107Кешбэк 166 баллов

AOD4132 MOSFET N-CH 30V 85A TO252

210Кешбэк 31 балл

IPB35N10S3L26ATMA1 MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

445Кешбэк 66 баллов

STP3NK90Z MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB

413Кешбэк 61 балл

SI7230DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

242Кешбэк 36 баллов

FDC855N MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

144Кешбэк 21 балл

BSC009NE2LS5ATMA1 MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON

402Кешбэк 60 баллов

IRFP3703PBF MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC

471Кешбэк 70 баллов

BSL307SPL6327HTSA1 MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6

107Кешбэк 16 баллов

FDB5690 MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB

296Кешбэк 44 балла

FQB34P10TM MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

578Кешбэк 86 баллов

RQ3E080GNTB MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

118Кешбэк 17 баллов

SI5476DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET

338Кешбэк 50 баллов

AOD3N50 MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252

164Кешбэк 24 балла

STB28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

774Кешбэк 116 баллов

FDMS8026S MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN

474Кешбэк 71 балл

IRFBG20PBF MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB

231Кешбэк 34 балла

PSMN1R1-25YLC,115 Транзистор: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

456Кешбэк 68 баллов

BUK7M15-60EX MOSFET N-CH 60V 42.9A LFPAK33

242Кешбэк 36 баллов

BSL207SPH6327XTSA1 MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6

158Кешбэк 23 балла

SI3464DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

89Кешбэк 13 баллов

FDMA507PZ MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET

182Кешбэк 27 баллов

DMP2066LSN-7 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3

129Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Высокочастотные биполярные транзисторы

Диодные мосты - Модули

Высокочастотные диоды

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды выпрямительные - Сборки

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - IGBT - модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Симисторы - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Транзисторы - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - JFET

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды выпрямительные - Одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Программируемые однопереходные транзисторы

Модули драйверов питания

Варикапы и Варакторы

IGBT транзисторы

Диодные мосты

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы

Принадлежности

Тиристоры - SCR

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Полевые транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Диоды силовые

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Триодные тиристоры - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - Специального назначения

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды - ВЧ

Симисторы

Диоды - мостовые выпрямители

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Минимально и кратно 3122 шт

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали