Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PMT280ENEAX
  • В избранное
  • В сравнение
PMT280ENEAX

PMT280ENEAX

PMT280ENEAX
;
PMT280ENEAX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMT280ENEAX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223Все характеристики

Минимальная цена PMT280ENEAX при покупке от 1 шт 120.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMT280ENEAX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMT280ENEAX

PMT280ENEAX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 100 В
  • Номинальная токовая способность ID: 1.5 А
  • Пакет: SOT223

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малое значение сопротивления при прохождении тока (RDS(on))
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузкой
  • Необходима правильная установка и защита от перегрева

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Блоки питания
  • Приводы двигателей
  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Системы управления нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики PMT280ENEAX

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    385mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    770mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-223
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    PMT280

Техническая документация

 PMT280ENEAX.pdf
pdf. 0 kb
  • 3750 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    120 ₽
  • 100
    48 ₽
  • 1000
    32.5 ₽
  • 3000
    28 ₽
  • 7000
    25 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMT280ENEAX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223Все характеристики

Минимальная цена PMT280ENEAX при покупке от 1 шт 120.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMT280ENEAX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMT280ENEAX

PMT280ENEAX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 100 В
  • Номинальная токовая способность ID: 1.5 А
  • Пакет: SOT223

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малое значение сопротивления при прохождении тока (RDS(on))
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузкой
  • Необходима правильная установка и защита от перегрева

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Блоки питания
  • Приводы двигателей
  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Системы управления нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики PMT280ENEAX

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    385mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    770mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-223
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    PMT280

Техническая документация

 PMT280ENEAX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK2511-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    602Кешбэк 90 баллов
    NTHL120N60S5ZMOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
    1 293Кешбэк 193 балла
    BSC040N10NS5SCATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
    758Кешбэк 113 баллов
    IRF200P223MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
    880Кешбэк 132 балла
    TSM025NB04LCR RLGMOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN
    448Кешбэк 67 баллов
    IMW65R107M1HXKSA1MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
    1 071Кешбэк 160 баллов
    IXFP34N65X3MOSFET 34A 650V X3 TO220
    1 552Кешбэк 232 балла
    G3R45MT17KSIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
    6 000Кешбэк 900 баллов
    IXFP56N30X3MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
    1 564Кешбэк 234 балла
    NTH4L080N120SC1SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
    1 952Кешбэк 292 балла
    IPP65R155CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    658Кешбэк 98 баллов
    2SK2529-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    645Кешбэк 96 баллов
    IMW65R039M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 749Кешбэк 262 балла
    G30N04D3MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
    198Кешбэк 29 баллов
    IXFH26N100XMOSFET N-CH 1000V 26A TO247
    3 568Кешбэк 535 баллов
    2SK2935-92-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    728Кешбэк 109 баллов
    SUM90100E-GE3N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
    852Кешбэк 127 баллов
    IXFP22N65X2MMOSFET N-CH 650V 22A TO220
    950Кешбэк 142 балла
    IXFT32N100XHVMOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
    4 574Кешбэк 686 баллов
    NTH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO247
    5 367Кешбэк 805 баллов
    IPZ60R017C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
    3 090Кешбэк 463 балла
    SI4435FDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
    90Кешбэк 13 баллов
    IMW120R060M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
    1 719Кешбэк 257 баллов
    IXTP24N65X2MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 256Кешбэк 188 баллов
    DMTH8028LFVWQ-7MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
    178Кешбэк 26 баллов
    PMV52ENEARMOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
    156Кешбэк 23 балла
    STB33N60DM6MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
    1 180Кешбэк 177 баллов
    C3M0120100KSICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
    3 403Кешбэк 510 баллов
    IMZA65R030M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 954Кешбэк 293 балла
    SCT4062KEC111200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
    2 005Кешбэк 300 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП