Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PMV65XPVL
  • В избранное
  • В сравнение
PMV65XPVL

PMV65XPVL

PMV65XPVL
;
PMV65XPVL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMV65XPVL
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PMV65XPVL при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMV65XPVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMV65XPVL

PMV65XPVL Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Питание: 20В
    • Размер тока: 2.8А
    • Оболочка: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления (Rds(on))
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для постоянных высоких напряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания и преобразования напряжения
    • Используется в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
    • Приборы измерения
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики PMV65XPVL

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    74mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7 nC @ 4 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    744 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    480mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    PMV65

Техническая документация

 PMV65XPVL.pdf
pdf. 0 kb
  • 1168 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    104 ₽
  • 50
    46 ₽
  • 10000
    13.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMV65XPVL
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена PMV65XPVL при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMV65XPVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMV65XPVL

PMV65XPVL Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Питание: 20В
    • Размер тока: 2.8А
    • Оболочка: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления (Rds(on))
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для постоянных высоких напряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания и преобразования напряжения
    • Используется в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
    • Приборы измерения
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики PMV65XPVL

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    74mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7 nC @ 4 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    744 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    480mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    PMV65

Техническая документация

 PMV65XPVL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
    48Кешбэк 7 баллов
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    673Кешбэк 100 баллов
    SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    332Кешбэк 49 баллов
    IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
    282Кешбэк 42 балла
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    119Кешбэк 17 баллов
    MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    489Кешбэк 73 балла
    STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
    285Кешбэк 42 балла
    TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
    122Кешбэк 18 баллов
    SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП