Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

PSMN1R2-30YLC,115

PSMN1R2-30YLC,115

PSMN1R2-30YLC,115

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Nexperia
Артикул:
PSMN1R2-30YLC,115
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN1R2-30YLC,115 при покупке от 1 шт 357.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN1R2-30YLC,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN1R2-30YLC,115

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5093 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
215W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
LFPAK56, Power-SO8
Корпус
SC-100, SOT-669
Base Product Number
PSMN1R2

Техническая документация

PSMN1R2-30YLC,115.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

1405 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
357 ₽
10
227 ₽
50
205 ₽
100
153 ₽
1500
131 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Nexperia
Артикул:
PSMN1R2-30YLC,115
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN1R2-30YLC,115 при покупке от 1 шт 357.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN1R2-30YLC,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN1R2-30YLC,115

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5093 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
215W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
LFPAK56, Power-SO8
Корпус
SC-100, SOT-669
Base Product Number
PSMN1R2

Техническая документация

PSMN1R2-30YLC,115.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IXTH3N200P3HV MOSFET N-CH 2000V 3A TO247

5 756Кешбэк 863 балла

FCH104N60F MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

1 014Кешбэк 152 балла

FDJ129P MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP

109Кешбэк 16 баллов

NDF03N60ZH MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP

60Кешбэк 9 баллов

XP161A1355PR-G MOSFET N-CH 20V 4A SOT89

169Кешбэк 25 баллов

PSMN6R5-80PS,127 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB

636Кешбэк 95 баллов

RJK0348DSP-00#J0 MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP

236Кешбэк 35 баллов

SIR818DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

153Кешбэк 22 балла

FDA16N50 MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN

2 019Кешбэк 302 балла

BSC093N15NS5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 87A TDSON

582Кешбэк 87 баллов

STL7N80K5 MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT

423Кешбэк 63 балла

IRF1310NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

227Кешбэк 34 балла

IRFP9140PBF MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3

616Кешбэк 92 балла

FDMS8020 MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

94Кешбэк 14 баллов

3 821Кешбэк 573 балла

STP5NK100Z MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB

496Кешбэк 74 балла

NTB6412ANT4G MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

305Кешбэк 45 баллов

AUIRF3710ZSTRL MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

847Кешбэк 127 баллов

PSMN4R3-100PS,127 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

1 167Кешбэк 175 баллов

SI2302CDS-T1-E3 Транзистор: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

78Кешбэк 11 баллов

FQA13N50C MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P

465Кешбэк 69 баллов

IXFK64N50P MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA

3 017Кешбэк 452 балла

IXFK64N60P3 MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA

2 964Кешбэк 444 балла

IPS65R1K5CEAKMA1 MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251

65Кешбэк 9 баллов

FQP27P06 MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3

298Кешбэк 44 балла

2SK4097LS MOSFET N-CH 500V 8.3A TO220FI

354Кешбэк 53 балла

FDB8870 MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

398Кешбэк 59 баллов

FDS5351 MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC

113Кешбэк 16 баллов

SCH1439-TL-H MOSFET N-CH 30V 3.5A 6SCH

29Кешбэк 4 балла

IRLZ44STRRPBF MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

734Кешбэк 110 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - IGBT - модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Тиристоры - TRIACs

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды силовые

Принадлежности

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - Модули

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы

Программируемые однопереходные транзисторы

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - Специального назначения

Диоды - мостовые выпрямители

Высокочастотные биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Диодные мосты

Полевые транзисторы - Сборки

Симисторы - Модули

Симисторы

Модули драйверов питания

Драйверы питания - Модули

Тиристоры - SCR - модули

Регулирование тока - диоды, транзисторы

IGBT транзисторы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - программируемые однопереходные

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Диодные мосты - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - IGBT - одиночные

Высокочастотные диоды

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - JFET

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали