Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PSMN1R6-30MLHX
  • В избранное
  • В сравнение
PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX
;
PSMN1R6-30MLHX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PSMN1R6-30MLHX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена PSMN1R6-30MLHX при покупке от 1 шт 408.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN1R6-30MLHX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 160А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: LFPAK33
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый динамический ток утечки
    • Компактный размер благодаря форм-фактору LFPAK33
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для достижения максимальных токов
    • Не подходит для высокочастотных приложений без использования специальных технологий
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных устройствах
    • Регулировка напряжения и управление токами
    • Применяется в промышленном оборудовании, трансформаторах и источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Телекоммуникационное оборудование
    • Электронные устройства с высокими потреблениями энергии
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN1R6-30MLHX

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    160A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2369 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    106W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    PSMN1R6

Техническая документация

 PSMN1R6-30MLHX.pdf
pdf. 0 kb
  • 2601 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    408 ₽
  • 10
    261 ₽
  • 100
    177 ₽
  • 1500
    124 ₽
  • 4500
    111 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PSMN1R6-30MLHX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена PSMN1R6-30MLHX при покупке от 1 шт 408.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN1R6-30MLHX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 160А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: LFPAK33
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый динамический ток утечки
    • Компактный размер благодаря форм-фактору LFPAK33
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для достижения максимальных токов
    • Не подходит для высокочастотных приложений без использования специальных технологий
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных устройствах
    • Регулировка напряжения и управление токами
    • Применяется в промышленном оборудовании, трансформаторах и источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Телекоммуникационное оборудование
    • Электронные устройства с высокими потреблениями энергии
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN1R6-30MLHX

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    160A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2369 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    106W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    PSMN1R6

Техническая документация

 PSMN1R6-30MLHX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTP082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    1 171Кешбэк 175 баллов
    NVMFS5C468NWFT1GMOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
    272Кешбэк 40 баллов
    NVD3055-094T4G-VF01MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    235Кешбэк 35 баллов
    FDD86369-F085MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
    356Кешбэк 53 балла
    NTD360N80S3ZMOSFET N-CH 800V 13A DPAK
    523Кешбэк 78 баллов
    FDMS8050MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
    1 026Кешбэк 153 балла
    NVB150N65S3FMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
    798Кешбэк 119 баллов
    MTP1N50EN-CHANNEL POWER MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    NTMFS4C024NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
    106Кешбэк 15 баллов
    FDD13AN06A0-F085MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
    217Кешбэк 32 балла
    NVMFS5C410NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
    843Кешбэк 126 баллов
    NTMFS6H818NLT1GMOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
    396Кешбэк 59 баллов
    NTD5C632NLT4GT6 60V LL DPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NVD5490NLT4G-VF01MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK
    50Кешбэк 7 баллов
    NTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
    2 899Кешбэк 434 балла
    NVBG060N090SC1MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
    3 351Кешбэк 502 балла
    NTBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    1 265Кешбэк 189 баллов
    NTMFSC010N08M7MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
    319Кешбэк 47 баллов
    NVD5C434NT4GMOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK
    550Кешбэк 82 балла
    NVMFS5C677NLT1GMOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN
    256Кешбэк 38 баллов
    NVHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
    2 553Кешбэк 382 балла
    NTMTS0D6N04CLTXGMOSFET N-CH 40V 554.5A
    767Кешбэк 115 баллов
    NTD250N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    593Кешбэк 88 баллов
    2N7000-D75ZMOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    93Кешбэк 13 баллов
    FDPF7N50U-GMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    170Кешбэк 25 баллов
    NVTFS004N04CTAGMOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
    374Кешбэк 56 баллов
    NTMTS4D3N15MCSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
    1 365Кешбэк 204 балла
    NVB082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
    986Кешбэк 147 баллов
    NVD5C478NLT4GMOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    NVD5C486NT4GMOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП