Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
PSMN2R0-30PL,127
  • В избранное
  • В сравнение
PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30PL,127
;
PSMN2R0-30PL,127

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN2R0-30PL,127
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена PSMN2R0-30PL,127 при покупке от 1 шт 822.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN2R0-30PL,127 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30PL,127 Nexperia MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 100А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в "включённом" состоянии
    • Малое сопротивление в "включённом" состоянии
    • Низкое сопротивление при переключении
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме полупроводника
    • Требует использования радиатора для охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Работа в системах управления электродвигателями
    • При работе с высокими токами и напряжениями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства для домашнего использования
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN2R0-30PL,127

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.15V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6810 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    211W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 PSMN2R0-30PL,127.pdf
pdf. 0 kb
  • 1777 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    822 ₽
  • 10
    537 ₽
  • 50
    414 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN2R0-30PL,127
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена PSMN2R0-30PL,127 при покупке от 1 шт 822.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN2R0-30PL,127 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30PL,127 Nexperia MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 100А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в "включённом" состоянии
    • Малое сопротивление в "включённом" состоянии
    • Низкое сопротивление при переключении
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме полупроводника
    • Требует использования радиатора для охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Работа в системах управления электродвигателями
    • При работе с высокими токами и напряжениями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства для домашнего использования
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN2R0-30PL,127

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.15V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6810 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    211W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 PSMN2R0-30PL,127.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9516-55A,127MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB
    116Кешбэк 17 баллов
    PSMN030-60YS,115MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
    97Кешбэк 14 баллов
    PMN30UNXMOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
    77Кешбэк 11 баллов
    PMPB12UNEXMOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
    120Кешбэк 18 баллов
    PSMN3R4-30BLE,118MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    559Кешбэк 83 балла
    PSMN026-80YS,115MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
    223Кешбэк 33 балла
    PSMN1R4-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    324Кешбэк 48 баллов
    BUK7Y19-100EXMOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
    410Кешбэк 61 балл
    BUK7Y9R9-80EXMOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
    473Кешбэк 70 баллов
    PSMN5R6-60YLXMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    287Кешбэк 43 балла
    PHB27NQ10T,118MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    289Кешбэк 43 балла
    BUK9Y8R7-60E,115MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
    309Кешбэк 46 баллов
    PSMN005-30K,518MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
    132Кешбэк 19 баллов
    PSMN9R1-30YL,115MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
    160Кешбэк 24 балла
    PSMN017-80BS,118MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
    392Кешбэк 58 баллов
    PMPB15XPHMOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
    136Кешбэк 20 баллов
    BUK7107-55AIE,118MOSFET N-CH 55V 75A SOT426
    708Кешбэк 106 баллов
    BUK9606-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    942Кешбэк 141 балл
    BSS138PW,115Транзистор: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    PHB29N08T,118MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
    226Кешбэк 33 балла
    PSMN0R7-25YLDXMOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
    671Кешбэк 100 баллов
    PSMN6R3-120PSMOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
    968Кешбэк 145 баллов
    PSMN5R2-60YLXMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    351Кешбэк 52 балла
    BSP220,115MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
    289Кешбэк 43 балла
    PMPB20ENZMOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
    129Кешбэк 19 баллов
    BUK953R5-60E,127MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    202Кешбэк 30 баллов
    BUK9540-100A,127MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB
    189Кешбэк 28 баллов
    BUK9Y11-80EXMOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
    392Кешбэк 58 баллов
    BUK9Y6R0-60E,115MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    473Кешбэк 70 баллов
    PSMN1R6-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    423Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП