Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PSMN3R5-40YSDX
  • В избранное
  • В сравнение
PSMN3R5-40YSDX

PSMN3R5-40YSDX

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN3R5-40YSDX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN3R5-40YSDX при покупке от 1 шт 347.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN3R5-40YSDX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN3R5-40YSDX

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3245 pF @ 20 V
  • Особенности полевого транзистора
    Schottky Diode (Body)
  • Рассеивание мощности (Макс)
    115W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK56, Power-SO8
  • Корпус
    SC-100, SOT-669

Техническая документация

 PSMN3R5-40YSDX.pdf
pdf. 0 kb
  • 2025 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    347 ₽
  • 10
    250 ₽
  • 50
    242 ₽
  • 100
    169 ₽
  • 1500
    76 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN3R5-40YSDX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN3R5-40YSDX при покупке от 1 шт 347.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN3R5-40YSDX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PSMN3R5-40YSDX

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3245 pF @ 20 V
  • Особенности полевого транзистора
    Schottky Diode (Body)
  • Рассеивание мощности (Макс)
    115W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK56, Power-SO8
  • Корпус
    SC-100, SOT-669

Техническая документация

 PSMN3R5-40YSDX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SISS50DN-T1-GE3MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
    209Кешбэк 31 балл
    TK290A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
    288Кешбэк 43 балла
    IPS80R900P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
    161Кешбэк 24 балла
    BSC031N06NS3GATMA1MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
    553Кешбэк 82 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    351Кешбэк 52 балла
    BSC100N06LS3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
    236Кешбэк 35 баллов
    PSMN1R6-30MLHXMOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
    468Кешбэк 70 баллов
    SQJ409EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
    364Кешбэк 54 балла
    UPA2780GR-E1-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    311Кешбэк 46 баллов
    NTMFS4D2N10MDT1GN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    525Кешбэк 78 баллов
    2SK1427N-CHANNEL POWER MOSFET
    285Кешбэк 42 балла
    IRFR310BTFN-CHANNEL POWER MOSFET
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN2053U-7MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3
    74Кешбэк 11 баллов
    PJS6461_S1_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    107Кешбэк 16 баллов
    SISS06DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
    274Кешбэк 41 балл
    RD3G07BATTL1PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
    521Кешбэк 78 баллов
    2SK1526-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    6 238Кешбэк 935 баллов
    PJA3411-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    76Кешбэк 11 баллов
    PMN70EPEXMOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP
    104Кешбэк 15 баллов
    FDD6676SN-CHANNEL POWER MOSFET
    196Кешбэк 29 баллов
    BB503CCS-TL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    EPC2036GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
    364Кешбэк 54 балла
    NVMFS6H800NLWFT1GMOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
    932Кешбэк 139 баллов
    FCMT360N65S3MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
    492Кешбэк 73 балла
    NX138AKVLMOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
    8.3Кешбэк 1 балл
    SI3134KEA-TPN-CHANNEL MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    SIHFR9310TR-GE3MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    RFP12N18N-CHANNEL POWER MOSFET
    259Кешбэк 38 баллов
    FDP020N06B-F102MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    888Кешбэк 133 балла
    TSM052NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
    226Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП