Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
PSMN4R0-40YS,115
  • В избранное
  • В сравнение
PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115
;
PSMN4R0-40YS,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PSMN4R0-40YS,115
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN4R0-40YS,115 при покупке от 1 шт 186.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN4R0-40YS,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤4.0 V
    • Размеры корпуса: LFPAK56
    • Номинальное напряжение: 40 В
    • Номинальный ток: 100 А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении срабатывания
    • Малый размер корпуса обеспечивает компактность и легкость интеграции
    • Высокий коэффициент сопротивления дросселирования (RD(on))
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокие потери при работе в условиях высокой частоты
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Встроенные в различные электронные устройства для управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления нагрузками в промышленной электронике
    • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
    • Промышленные преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN4R0-40YS,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2410 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    106W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK56, Power-SO8
  • Корпус
    SC-100, SOT-669
  • Base Product Number
    PSMN4R0

Техническая документация

 PSMN4R0-40YS,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 61824 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    186 ₽
  • 10
    151 ₽
  • 100
    109 ₽
  • 1500
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PSMN4R0-40YS,115
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56Все характеристики

Минимальная цена PSMN4R0-40YS,115 при покупке от 1 шт 186.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN4R0-40YS,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤4.0 V
    • Размеры корпуса: LFPAK56
    • Номинальное напряжение: 40 В
    • Номинальный ток: 100 А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении срабатывания
    • Малый размер корпуса обеспечивает компактность и легкость интеграции
    • Высокий коэффициент сопротивления дросселирования (RD(on))
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокие потери при работе в условиях высокой частоты
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Встроенные в различные электронные устройства для управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления нагрузками в промышленной электронике
    • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
    • Промышленные преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN4R0-40YS,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2410 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    106W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK56, Power-SO8
  • Корпус
    SC-100, SOT-669
  • Base Product Number
    PSMN4R0

Техническая документация

 PSMN4R0-40YS,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFB3077PBFMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
    503Кешбэк 75 баллов
    IPA60R400CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
    324Кешбэк 48 баллов
    IRFB3207ZPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
    462Кешбэк 69 баллов
    AUIRFR8403TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    530Кешбэк 79 баллов
    IRFP054NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
    547Кешбэк 82 балла
    IRFB3006PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    468Кешбэк 70 баллов
    IRFS3207ZTRRPBFMOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    897Кешбэк 134 балла
    IPA50R800CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
    217Кешбэк 32 балла
    IPA65R1K5CEXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    IRFB4229PBFMOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
    586Кешбэк 87 баллов
    IPB60R120C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
    814Кешбэк 122 балла
    IRF9383MTRPBFMOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    578Кешбэк 86 баллов
    IPZ65R019C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
    3 096Кешбэк 464 балла
    IRFZ34NPBFMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
    67Кешбэк 10 баллов
    IPW60R099C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
    1 022Кешбэк 153 балла
    IPA65R1K0CEXKSA1MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
    173Кешбэк 25 баллов
    IPD60R180C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
    518Кешбэк 77 баллов
    SPA11N80C3XKSA2Транзистор: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
    611Кешбэк 91 балл
    IRFR3709ZTRLPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    262Кешбэк 39 баллов
    IRF630NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
    235Кешбэк 35 баллов
    IRFB3206GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    308Кешбэк 46 баллов
    AUIRF3710ZSTRLMOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
    858Кешбэк 128 баллов
    IPI076N12N3GAKSA1MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
    742Кешбэк 111 баллов
    IRFB7540PBFMOSFET N-CH 60V 110A TO220
    304Кешбэк 45 баллов
    IRFU120NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
    158Кешбэк 23 балла
    IRFB7430PBFMOSFET N CH 40V 195A TO220
    624Кешбэк 93 балла
    IPA60R180C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
    525Кешбэк 78 баллов
    IRFP90N20DPBFMOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
    939Кешбэк 140 баллов
    AUIRFP4568-EMOSFET N-CH 150V 171A TO247AD
    2 322Кешбэк 348 баллов
    SPW12N50C3FKSA1MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
    392Кешбэк 58 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП