PSMN4R3-80ES,127

PSMN4R3-80ES,127 Nexperia USA Inc.

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый транзистор
  • Структура: MOSFET (MOSFET)
  • Мощность: 80В
  • Размеры: 12мм x 7,5мм
• Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Низкое сопротивление ввода
  • Высокая частота работы
  • Малый размер
• Минусы:
  • Не подходит для высокотемпературных условий без охлаждения
  • Стоимость может быть выше, чем у аналогичных компонентов
• Общее назначение:
  • Использование в электронных устройствах, требующих высокого тока
  • Регулировка напряжения
  • Защита электронных схем от перенапряжений
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Электронные приборы бытовой техники
  • Игровые консоли и периферия