Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
PSMN5R6-100PS,127
  • В избранное
  • В сравнение
PSMN5R6-100PS,127

PSMN5R6-100PS,127

PSMN5R6-100PS,127
;
PSMN5R6-100PS,127

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN5R6-100PS,127
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 100A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена PSMN5R6-100PS,127 при покупке от 1 шт 1086.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN5R6-100PS,127 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN5R6-100PS,127

PSMN5R6-100PS,127 Nexperia MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток (ID(on)): 100А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Контейнер: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на вводе (VGS(th))
    • Высокий коэффициент передачи (high transconductance)
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме регулирования мощности
    • Необходимость использования радиатора из-за высокой теплопроводности корпуса TO220AB
  • Общее назначение:
    • Регуляторы напряжения
    • Мощные инвертеры
    • Приводы двигателей
    • Переключатели
    • Системы управления силовыми электронными устройствами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Электроплиты и другие бытовые приборы с нагревательными элементами
    • Мощные системные блоки и серверы
    • Электромобили и гибридные автомобили
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN5R6-100PS,127

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.6mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    141 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8061 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    306W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    PSMN5R6

Техническая документация

 PSMN5R6-100PS,127.pdf
pdf. 0 kb
  • 2974 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 086 ₽
  • 10
    719 ₽
  • 50
    560 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN5R6-100PS,127
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 100A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена PSMN5R6-100PS,127 при покупке от 1 шт 1086.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN5R6-100PS,127 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN5R6-100PS,127

PSMN5R6-100PS,127 Nexperia MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток (ID(on)): 100А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Контейнер: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на вводе (VGS(th))
    • Высокий коэффициент передачи (high transconductance)
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме регулирования мощности
    • Необходимость использования радиатора из-за высокой теплопроводности корпуса TO220AB
  • Общее назначение:
    • Регуляторы напряжения
    • Мощные инвертеры
    • Приводы двигателей
    • Переключатели
    • Системы управления силовыми электронными устройствами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Электроплиты и другие бытовые приборы с нагревательными элементами
    • Мощные системные блоки и серверы
    • Электромобили и гибридные автомобили
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN5R6-100PS,127

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.6mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    141 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8061 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    306W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    PSMN5R6

Техническая документация

 PSMN5R6-100PS,127.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDN339ANMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFR420TRLPBFMOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
    233Кешбэк 34 балла
    TN2510N8-GMOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
    250Кешбэк 37 баллов
    IRFR5305TRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    STU6N65M2MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
    289Кешбэк 43 балла
    IRF6713STRPBFMOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
    295Кешбэк 44 балла
    DMTH6010LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    CSD18540Q5BTMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    767Кешбэк 115 баллов
    SIRA10DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    168Кешбэк 25 баллов
    ATP405-TL-HMOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
    463Кешбэк 69 баллов
    STL30N10F7Транзистор: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
    167Кешбэк 25 баллов
    DMP2130LDM-7MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    122Кешбэк 18 баллов
    STL21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
    508Кешбэк 76 баллов
    SIHP12N60E-E3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    439Кешбэк 65 баллов
    2N7002E-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
    77Кешбэк 11 баллов
    MTP3055VLТранзистор: MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
    378Кешбэк 56 баллов
    TPH12008NH,L1QMOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
    230Кешбэк 34 балла
    SI3438DV-T1-E3MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
    304Кешбэк 45 баллов
    PSMN5R0-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    974Кешбэк 146 баллов
    AO3400AТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
    76Кешбэк 11 баллов
    BUK9675-55A,118MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
    332Кешбэк 49 баллов
    CSD19502Q5BTMOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
    652Кешбэк 97 баллов
    SI7868ADP-T1-E3MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
    999Кешбэк 149 баллов
    IRFU9214PBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
    383Кешбэк 57 баллов
    BSZ0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
    296Кешбэк 44 балла
    SI7686DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    AUIRFR4615TRLMOSFET N-CH 150V 33A DPAK
    537Кешбэк 80 баллов
    AOD480MOSFET N-CH 30V 25A TO252
    72Кешбэк 10 баллов
    FDMC7660DCMOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
    319Кешбэк 47 баллов
    AUIRF8739L2TRMOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
    1 573Кешбэк 235 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП