Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
PTFC210202FC-V1-R0
PTFC210202FC-V1-R0

PTFC210202FC-V1-R0

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    PTFC210202FC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-4Все характеристики

Минимальная цена PTFC210202FC-V1-R0 при покупке от 1 шт 12332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PTFC210202FC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PTFC210202FC-V1-R0

  • Частота
    2.2GHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    170 mA
  • Мощность передачи
    5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    H-37248-4
  • Исполнение корпуса
    H-37248-4
  • Base Product Number
    PTFC210202
Техническая документация
 PTFC210202FC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 30 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    12 332 ₽
  • 10
    10 826 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    PTFC210202FC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-4Все характеристики

Минимальная цена PTFC210202FC-V1-R0 при покупке от 1 шт 12332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PTFC210202FC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PTFC210202FC-V1-R0

  • Частота
    2.2GHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    170 mA
  • Мощность передачи
    5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    H-37248-4
  • Исполнение корпуса
    H-37248-4
  • Base Product Number
    PTFC210202
Техническая документация
 PTFC210202FC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MCH6306-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    18Кешбэк 2 балла
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    65 867Кешбэк 9 880 баллов
    CGH35240FТранзистор: 240W GAN HEMT 28V 3.1-3.5GHZ FET
    167 943Кешбэк 25 191 балл
    BLF13H9LS750PUТранзистор: BLF13H9LS750P/SOT539/TRAY
    40 710Кешбэк 6 106 баллов
    PTFC270101M-V1-R1KТранзистор: RFP-LD10M
    3 148Кешбэк 472 балла
    CGHV40050PТранзистор: 50W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, P
    56 610Кешбэк 8 491 балл
    BLC9G20XS-550AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587
    17 694Кешбэк 2 654 балла
    BLP2425M10S250PYТранзистор: BLP2425M10S250P/OMP780/REELDP
    11 938Кешбэк 1 790 баллов
    PTVA104501EH-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-33288-2
    101 040Кешбэк 15 156 баллов
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 745Кешбэк 411 баллов
    CGHV40200PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 440199
    109 593Кешбэк 16 438 баллов
    CGH25120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
    121 551Кешбэк 18 232 балла
    CGHV35060MPТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
    39 469Кешбэк 5 920 баллов
    GTVA311801FA-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    78 763Кешбэк 11 814 баллов
    BLC9H10XS-500AZТранзистор: BLC9H10XS-500A/SOT1273/TRAYDP
    21 938Кешбэк 3 290 баллов
    MRFX600GSR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    42 012Кешбэк 6 301 балл
    ECH8617-TL-EТранзистор: PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
    80Кешбэк 12 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    46 826Кешбэк 7 023 балла
    A2G35S200-01SR3Транзистор: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    30 143Кешбэк 4 521 балл
    CPH3449-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    31Кешбэк 4 балла
    CG2H40045FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    62 169Кешбэк 9 325 баллов
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    58 357Кешбэк 8 753 балла
    CGHV60170D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    58 239Кешбэк 8 735 баллов
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 017Кешбэк 602 балла
    A2V09H400-04NR3Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    16 331Кешбэк 2 449 баллов
    AFV10700HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L
    127 742Кешбэк 19 161 балл
    MRF24301HSR5Транзистор: 250W AF17 2450MHZ NI780
    6 547Кешбэк 982 балла
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    53 397Кешбэк 8 009 баллов
    MMRF5017HSR5Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S
    138 207Кешбэк 20 731 балл
    CGH27015FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    23 621Кешбэк 3 543 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП