Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
PUMD12,135
  • В избранное
  • В сравнение
PUMD12,135

PUMD12,135

PUMD12,135
;
PUMD12,135

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PUMD12,135
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PUMD12 - SMALL SIGNВсе характеристики

Минимальная цена PUMD12,135 при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PUMD12,135 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PUMD12,135

PUMD12,135 Nexperia USA Inc.

  • Транзистор NOW NEXPERIA PUMD12 - SMALL SIGN:
  • Основные параметры:
    • Мощность: 12 В
    • Потребляемая мощность: 135 ВА
    • Тип: MOSFET
    • Технология: SiC (силicon carbide)
    • Размеры: малый размер
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер
    • Долгий срок службы
    • Улучшенная надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требует специального оборудования для производства
  • Общее назначение:
    • Использование в электротехнических устройствах
    • Применение в системах управления мощностью
    • Внедрение в промышленное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Напряженно-стабилизирующие блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики PUMD12,135

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    230MHz, 180MHz
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    PUMD12

Техническая документация

 PUMD12,135.pdf
pdf. 0 kb
  • 8043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    56 ₽
  • 50
    24 ₽
  • 10000
    7.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PUMD12,135
  • Описание:
    Транзистор: NOW NEXPERIA PUMD12 - SMALL SIGNВсе характеристики

Минимальная цена PUMD12,135 при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PUMD12,135 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PUMD12,135

PUMD12,135 Nexperia USA Inc.

  • Транзистор NOW NEXPERIA PUMD12 - SMALL SIGN:
  • Основные параметры:
    • Мощность: 12 В
    • Потребляемая мощность: 135 ВА
    • Тип: MOSFET
    • Технология: SiC (силicon carbide)
    • Размеры: малый размер
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер
    • Долгий срок службы
    • Улучшенная надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требует специального оборудования для производства
  • Общее назначение:
    • Использование в электротехнических устройствах
    • Применение в системах управления мощностью
    • Внедрение в промышленное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Напряженно-стабилизирующие блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики PUMD12,135

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Трансформация частоты
    230MHz, 180MHz
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    PUMD12

Техническая документация

 PUMD12,135.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UMD6NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    83Кешбэк 12 баллов
    UMD9NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    87Кешбэк 13 баллов
    IMB9AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    111Кешбэк 16 баллов
    IMD10AT108Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
    111Кешбэк 16 баллов
    UMD2NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    87Кешбэк 13 баллов
    IMB11AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    IMH10AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    74Кешбэк 11 баллов
    UMA9NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    76Кешбэк 11 баллов
    FMA4AT148Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
    120Кешбэк 18 баллов
    UMC5NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
    76Кешбэк 11 баллов
    UMH2NTNТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
    87Кешбэк 13 баллов
    UMA1NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    82Кешбэк 12 баллов
    IMB3AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    117Кешбэк 17 баллов
    EMD3T2RТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    98Кешбэк 14 баллов
    IMB10AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
    96Кешбэк 14 баллов
    IMH5AT108Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    126Кешбэк 18 баллов
    UMD22NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    96Кешбэк 14 баллов
    UMD5NTRТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
    29Кешбэк 4 балла
    IMD3AT108Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
    96Кешбэк 14 баллов
    FMA9AT148Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
    120Кешбэк 18 баллов
    IMH2AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UMG4NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    87Кешбэк 13 баллов
    IMH3AT110Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    82Кешбэк 12 баллов
    UMG8NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    44Кешбэк 6 баллов
    FMG6AT148Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
    85Кешбэк 12 баллов
    UMF28NTRТранзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
    69Кешбэк 10 баллов
    FMA1AT148Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
    113Кешбэк 16 баллов
    UMA5NTRТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
    83Кешбэк 12 баллов
    EMG5T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
    94Кешбэк 14 баллов
    FMG9AT148Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
    36Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП